封装信息
| 封装 | 引脚 SOIC (DVG) | 10 |
| 工作温度范围 (°C) -40 to 125 |
| 包装数量 | 包装 2,000 | LARGE T&R |
TMCS1126 的特性
- 高持续电流能力：80ARMS
- 可靠的增强型隔离
- 高精度 - A 级
- 灵敏度误差：±0.1%
- 灵敏度热漂移： ±20ppm/°C
- 灵敏度寿命漂移：±0.2%
- 失调电压误差： ±0.2mV
- 偏移热漂移：±2µV/°C
- 偏移寿命漂移：±0.2mV
- 非线性：±0.1%
- 标准精度 - B 级
- 对外部磁场具有高抗扰度
- 精密零电流基准输出
- 快速响应
- 信号带宽：500kHz
- 响应时间：250ns
- 传播延迟：60ns
- 过流检测响应：100ns
- 工作电源电压范围：3V 至 5.5V
- 双向和单向电流检测
- 多个灵敏度选项：
- 范围为 15mV/A 至 150mV/A
- 安全相关认证
- UL 1577 组件认证计划
- IEC/CB 62368-1
TMCS1126 的说明
TMCS1126 是一款电隔离霍尔效应电流传感器，具有业界出色的隔离功能和精度。该器件还提供与输入电流成正比的输出电压，且在所有灵敏度选项下均具有出色的线性度和低漂移。具有内置漂移补偿功能的精密信号调节电路能够在没有系统级校准的情况下，在温度和寿命范围内实现小于 1.4% 的最大灵敏度误差，或在一次性室温校准的情况下，实现小于 0.9% 的最大灵敏度误差（包括寿命和温度漂移）。
交流或直流输入电流流经内部导体，所产生的磁场可由集成式片上霍尔效应传感器进行测量。无磁芯结构消除了对磁集中器的需求。差分霍尔传感器可抑制外部杂散磁场产生的干扰。低导体电阻将可测量电流范围提高至 ±120A，同时更大程度地降低功率损耗并降低散热要求。绝缘能够承受 5kVRMS，加上最小 8mm 的爬电距离和间隙，可提供高电平的可靠寿命增强型工作电压。集成式屏蔽可提供出色的共模抑制和瞬态抗扰度。
固定的灵敏度允许器件使用单个 3V 至 5.5V 的电源运行，因此消除了比例式误差并提高了电源噪声抑制能力。TI 以更低的成本提供 B 级选项。