封装信息
| 封装 | 引脚 X2QFN (RUG) | 10 |
| 工作温度范围 (°C) -40 to 125 |
| 包装数量 | 包装 3,000 | LARGE T&R |
TLV342 的特性
- 1.8V 和 5V 性能
- 低失调电压（A 级）
- 最大值 1.25mV (25°C)
- 最大值 1.7mV（–40°C 至 125°C）
- 轨到轨输出摆幅
- 宽共模输入电压范围：–0.2V 至 (V+ - 0.5V)
- 输入偏置电流：1pA（典型值）
- 输入失调电压：0.3mV（典型值）
- 低电源电流：70µA/通道
- 低关断电流：每通道 10pA（典型值）
- 增益带宽：2.3MHz（典型值）
- 压摆率：0.9V/µs（典型值）
- 关断后的导通时间：5µs（典型值）
- 输入参考电压噪声（10kHz 时）： 20nV/√ Hz
- ESD 保护性能超过 JESD 22 规范要求：
- 2000V 人体放电模式 (HBM)
- 750V 充电器件模型 (CDM)
TLV342 的说明
TLV34xx 器件分别为单和双 CMOS 运算放大器，具有低电压、低功耗和轨到轨输出摆幅功能。PMOS 输入级提供 1pA（典型值）的超低输入偏置电流和 0.3mV（典型值）的 失调电压。对于需要出色直流精度的应用，A 级 (TLV34xA) 在 25°C 时具有 1.25mV（最大值）的低失调电压。
这些单电源放大器专为超低电压（1.5V 至 5V）工作而设计，其共模输入电压范围通常介于与正电源轨的 –0.2V 至 0.5V。
采用 RUG 封装的 TLV341（单）和 TLV342（双）还提供了一个关断 (SHDN) 引脚，可用于禁用器件。在关断模式下，电源电流降至 45pA（典型值）。TLV341 采用 SOT-23 和更小的 SC70 封装，非常适合大多数空间受限的应用。双 TLV342 采用标准的 SOIC、VSSOP 和 X2QFN 封装。
TLV34xx 具有从 –40°C 到 125°C 的扩展工业温度范围，因此能够灵活用于各种商业和工业应用。