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SN75372

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具有使能引脚的 10mA/40mA 双路栅极驱动器

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产品详情

Number of channels 2 Power switch MOSFET Peak output current (A) 0.5 Input supply voltage (min) (V) 4.75 Input supply voltage (max) (V) 7 Features Low Quiescent Current Operating temperature range (°C) 0 to 70 Rise time (ns) 20 Fall time (ns) 20 Propagation delay time (µs) 0.065 Input threshold CMOS, TTL Channel input logic Non-Inverting Input negative voltage (V) 0 Rating Catalog Driver configuration Dual inputs
Number of channels 2 Power switch MOSFET Peak output current (A) 0.5 Input supply voltage (min) (V) 4.75 Input supply voltage (max) (V) 7 Features Low Quiescent Current Operating temperature range (°C) 0 to 70 Rise time (ns) 20 Fall time (ns) 20 Propagation delay time (µs) 0.065 Input threshold CMOS, TTL Channel input logic Non-Inverting Input negative voltage (V) 0 Rating Catalog Driver configuration Dual inputs
PDIP (P) 8 92.5083 mm² 9.81 x 9.43 SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6 SOP (PS) 8 48.36 mm² 6.2 x 7.8
  • Dual Circuits Capable of Driving High-Capacitance Loads at High Speeds
  • Output Supply Voltage Range up to 24 V
  • Low Standby Power Dissipation

  • Dual Circuits Capable of Driving High-Capacitance Loads at High Speeds
  • Output Supply Voltage Range up to 24 V
  • Low Standby Power Dissipation

The SN75372 is a dual NAND gate interface circuit designed to drive power MOSFETs from TTL inputs. It provides high current and voltage levels necessary to drive large capacitive loads at high speeds. The device operates from a VCC1 of 5 V and a VCC2 of up to 24 V.

The SN75372 is characterized for operation from 0°C to 70°C.

The SN75372 is a dual NAND gate interface circuit designed to drive power MOSFETs from TTL inputs. It provides high current and voltage levels necessary to drive large capacitive loads at high speeds. The device operates from a VCC1 of 5 V and a VCC2 of up to 24 V.

The SN75372 is characterized for operation from 0°C to 70°C.

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* 数据表 Dual MOSFET Driver 数据表 (Rev. A) 1986年 7月 1日
应用简报 了解峰值源电流和灌电流 (Rev. A) 英语版 (Rev.A) 2020年 4月 29日
应用简报 适用于栅极驱动器的外部栅极电阻器设计指南 (Rev. A) 英语版 (Rev.A) 2020年 4月 29日

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  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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