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Configuration 1:1 SPST Number of channels 4 Power supply voltage - single (V) 2.5, 3.3, 5 Protocols Analog Ron (typ) (Ω) 21 CON (typ) (pF) 5.5 ON-state leakage current (max) (µA) 1 Supply current (typ) (µA) 1 Bandwidth (MHz) 50 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Input/output continuous current (max) (mA) 28 Rating Catalog Drain supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (max) (V) 5.5
Configuration 1:1 SPST Number of channels 4 Power supply voltage - single (V) 2.5, 3.3, 5 Protocols Analog Ron (typ) (Ω) 21 CON (typ) (pF) 5.5 ON-state leakage current (max) (µA) 1 Supply current (typ) (µA) 1 Bandwidth (MHz) 50 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Input/output continuous current (max) (mA) 28 Rating Catalog Drain supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (max) (V) 5.5
PDIP (N) 14 181.42 mm² 19.3 x 9.4 SOIC (D) 14 51.9 mm² 8.65 x 6 SOP (NS) 14 79.56 mm² 10.2 x 7.8 SSOP (DB) 14 48.36 mm² 6.2 x 7.8 TSSOP (PW) 14 32 mm² 5 x 6.4 TVSOP (DGV) 14 23.04 mm² 3.6 x 6.4 VQFN (RGY) 14 12.25 mm² 3.5 x 3.5
  • 1.65V 至 5.5V VCC 运行
  • 所有端口上均支持混合模式电压运行
  • 高开关输出电压比
  • 低开关间串扰
  • 单独的开关控制
  • 极低输入电流
  • ESD 保护性能超过 JESD 22 规范要求:
    • 2000V 人体放电模型 (A114-A)
    • 200V 机器放电模型 (A115-A)
    • 750V 充电器件模型 (C101)
  • 1.65V 至 5.5V VCC 运行
  • 所有端口上均支持混合模式电压运行
  • 高开关输出电压比
  • 低开关间串扰
  • 单独的开关控制
  • 极低输入电流
  • ESD 保护性能超过 JESD 22 规范要求:
    • 2000V 人体放电模型 (A114-A)
    • 200V 机器放电模型 (A115-A)
    • 750V 充电器件模型 (C101)

这款四路硅栅 CMOS 模拟开关可在 1.65V 至 5.5V VCC 下运行。

这些开关能够处理模拟和数字信号。每个开关允许在任意方向传输振幅高达 5.5V(峰值)的信号。

每个开关部分有其自己的输入使能控制 (C)。应用到 C 上的一个高电平电压开启相关开关部分。

应用包括用于模数和数模转换系统的信号选通、斩波、调制或者解调 (modem),以及信号多路复用。

这款四路硅栅 CMOS 模拟开关可在 1.65V 至 5.5V VCC 下运行。

这些开关能够处理模拟和数字信号。每个开关允许在任意方向传输振幅高达 5.5V(峰值)的信号。

每个开关部分有其自己的输入使能控制 (C)。应用到 C 上的一个高电平电压开启相关开关部分。

应用包括用于模数和数模转换系统的信号选通、斩波、调制或者解调 (modem),以及信号多路复用。

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接口适配器

LEADED-ADAPTER1 — 表面贴装转 DIP 接头适配器,用于快速测试 TI 的 5、8、10、16 和 24 引脚引线式封装。

EVM-LEADED1 电路板可用于对 TI 的常见引线式封装进行快速测试和电路板试验。  该电路板具有足够的空间,可将 TI 的 D、DBQ、DCT、DCU、DDF、DGS、DGV 和 PW 表面贴装封装转换为 100mil DIP 接头。     

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