SN74LV373A
- V CC 工作电压范围为 2V 至 5.5V
- 5V 时 t pd 最大值为 8.5 ns
- V OLP(输出接地反弹)典型值 小于 0.8V(V CC = 3.3V、T A = 25°C 时)
- V CC = 3.3V、T A = 25°C 时, V OHV(输出 V OH 下冲)典型值大于 2.3 V
- 所有端口上均支持以混合模式电压运行
- I off 支持局部断电模式运行
- 闩锁性能超过 250mA, 符合 JESD 17 规范的要求
SN74LV373A 器件是一款八路透明 D 类锁存器,可在 2V 至 5.5 V CC 下运行。
技术文档
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* | 数据表 | SN74LV373A 具有三态输出的八路透明 D 类锁存器 数据表 (Rev. N) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.N) | PDF | HTML | 2023年 12月 7日 |
应用手册 | Power-Up Behavior of Clocked Devices (Rev. B) | PDF | HTML | 2022年 12月 15日 |
设计和开发
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评估板
14-24-LOGIC-EVM — 采用 14 引脚至 24 引脚 D、DB、DGV、DW、DYY、NS 和 PW 封装的逻辑产品通用评估模块
14-24-LOGIC-EVM 评估模块 (EVM) 旨在支持采用 14 引脚至 24 引脚 D、DW、DB、NS、PW、DYY 或 DGV 封装的任何逻辑器件。
评估板
14-24-NL-LOGIC-EVM — 采用 14 引脚至 24 引脚无引线封装的逻辑产品通用评估模块
14-24-EVM 是一款灵活的评估模块 (EVM),旨在支持具有 14 引脚至 24 引脚 BQA、BQB、RGY、RSV、RJW 或 RHL 封装的任何逻辑或转换器件。
参考设计
TIDM-TM4CFLASHSRAM — 用于高性能 MCU 上的代码下载与执行的并发并行 XIP 闪存和 SRAM 设计
此参考设计展示了如何实现异步并列式闪存和 SRAM 存储器并将其连接到性能微控制器 TM4C129。通过在主机总线 16 模式下使用 EPI 接口并提供用于连接 1Gbit-8Mbit 范围的 16 位并列式闪存和 16Mbit 16 位并行式 SRAM 的多种芯片选择来构建此实施,开发人员便可将代码和数据空间扩展到 TM4C1294 微控制器最大内部存储器的范围之外。
封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
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SOIC (DW) | 20 | Ultra Librarian |
SOP (NS) | 20 | Ultra Librarian |
SSOP (DB) | 20 | Ultra Librarian |
TSSOP (PW) | 20 | Ultra Librarian |
TVSOP (DGV) | 20 | Ultra Librarian |
VQFN (RGY) | 20 | Ultra Librarian |
订购和质量
包含信息:
- RoHS
- REACH
- 器件标识
- 引脚镀层/焊球材料
- MSL 等级/回流焊峰值温度
- MTBF/时基故障估算
- 材料成分
- 鉴定摘要
- 持续可靠性监测
包含信息:
- 制造厂地点
- 封装厂地点