封装信息
封装 | 引脚 SOIC (D) | 16 |
工作温度范围 (°C) -40 to 125 |
包装数量 | 包装 2,500 | LARGE T&R |
SN74HCS595-Q1 的特性
- 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准:
- 器件温度等级 1: –40°C 至 +125°C,TA
- 器件 HBM ESD 分类等级 2
- 器件 CDM ESD 分类等级 C6
- 采用可湿侧面 QFN (WBQB) 封装
- 宽工作电压范围:2V 至 6V
- 施密特触发输入可实现慢速或高噪声输入信号
- 低功耗
- ICC 典型值为 100nA
- 输入泄漏电流典型值为 ±100nA
- 电压为 6V 时,输出驱动为 ±7.8mA
SN74HCS595-Q1 的说明
SN74HCS595-Q1 器件包含对 8 位 D 类存储寄存器进行馈送的 8 位串行输入、并行输出移位寄存器。 所有输入均包括施密特触发架构,因此消除了由边沿变化缓慢或高噪声输入信号导致的任何错误数据输出。存储寄存器具有并行 三态输出。移位寄存器和存储寄存器分别有单独的时钟。移位寄存器具有一个直接覆盖清零 (SRCLR) 的串行 (SER) 输入和一个串行输出 (QH),以用于级联。当输出使能端 (OE) 输入为高电平时,存储寄存器输出处于高阻抗状态。内部寄存器数据和串行输出 (QH) 不受 OE 端输入的影响。