JFE2325
- 单片、匹配、N 通道 JFET
- 可实现高输入阻抗 (>400GΩ) 的自偏置栅极
- 低输入电容：每个 JFET 0.85pF
- 低噪声：˗110dBV（A 加权），输入电容 5pF
- 低 VGS 失配：30mV（最大值）
- 低 IDSS 失配：5%（最大值）
- 高栅漏击穿电压：30V
- 极小型封装：0.8mm × 1mm X2SON
JFE2325 是一款单片匹配对的分立式 JFET，旨在与驻极体电容式麦克风 (ECM) 等极高阻抗传感器配合使用。该器件由两个 N 通道 JFET 组成，它们集成于单个裸片上，旨在实现优异的匹配性能。每个 JFET 的栅极均由集成二极管偏置，该二极管允许将信号源直接耦合到栅极，而无需偏置电阻器。如果使用分立式电阻器进行栅极偏置，JFE2325 可实现的输入阻抗 (>400GOhm) 要高得多。此外，JFE2325 具有每个 JFET 0.85pF 的超低输入电容，可最大限度地提高具有极低输出电容的传感器信号电平。
当配置为以 385µA 的全漏极电流运行时，每个 JFET 能够实现 0.7mS 的跨导。JFET 可以单独使用，也可以并联使用，以实现更高的跨导和更低的噪声。
JFE2325 可承受 30V 的高栅漏电压。额定温度范围：–40°C 至 +125°C。
设计与开发
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评估板
JFE2325EVM — JFE2325 评估模块
JFE2325 评估板可将采用 DTQ 封装的 JFE2325 器件转换为易于使用的标准双通道 300mil 宽 PDIP 封装。PCB 可用于标准 PDIP 插座。电路板尺寸为 550mil × 600mil。
| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| X2SON (DTQ) | 6 | Ultra Librarian |