JFE2325
- 单片、匹配、N 通道 JFET
- 可实现高输入阻抗 (>4GΩ) 的自偏置栅极
- 低输入电容：每个 JFET 0.5pF
- 低噪声：˗109.6dBV(A-wt.) 采用 5pF 输入电容
- 低 VGS 失配：30mV（最大值）
- 低 IDSS 失配：10%（最大值）
- 高栅漏击穿电压：30V
- 极小型封装： 0.8mm × 1mm X2SON
JFE2325 是一款单片匹配对的分立式 JFET，旨在与驻极体电容式麦克风 (ECM) 等极高阻抗传感器配合使用。该器件由两个 N 通道 JFET 组成，它们集成于单个裸片上，旨在实现优异的匹配性能。每个 JFET 的栅极均由集成二极管偏置，该二极管允许将信号源直接耦合到栅极，而无需偏置电阻器。如果使用分立式电阻器进行栅极偏置，JFE2325 可实现的输入阻抗 (>4GOhm) 要高得多。此外，JFE2325 具有每个 JFET 0.5pF 的超低输入电容，可最大限度地提高具有极低输出电容的传感器信号电平。
当配置为以 325µA 的全漏极电流运行时，每个 JFET 能够实现 0.6ms 的跨导。JFET 可以单独使用，也可以并联使用，以实现更高的跨导和更低的噪声。
JFE2325 可承受 30V 的高栅漏电压。额定温度范围：–40°C 至 +125°C。
技术文档
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| 顶层文档 | 类型 | 标题 | 格式选项 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 数据表 | JFE2325 适用于驻极体麦克风的双路低功耗 N 通道 JFET 数据表 | PDF | HTML | 2026年 1月 28日 | ||
| EVM 用户指南 | JFE2325EVM... | PDF | HTML | 英语版 | PDF | HTML | 2026年 2月 6日 |
设计与开发
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评估板
JFE2325EVM — JFE2325 评估模块
JFE2325 评估板可将采用 DTQ 封装的 JFE2325 器件转换为易于使用的标准双通道 300mil 宽 PDIP 封装。PCB 可用于标准 PDIP 插座。电路板尺寸为 550mil × 600mil。
| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| X2SON (DTQ) | 6 | Ultra Librarian |
订购和质量
包含信息：
- RoHS
- REACH
- 器件标识
- 引脚镀层/焊球材料
- MSL 等级/回流焊峰值温度
- MTBF/时基故障估算
- 材料成分
- 鉴定摘要
- 持续可靠性监测
包含信息：
- 制造厂地点
- 封装厂地点