1997 年 9 月 9 日，德州仪器 (TI) 为斥资 1.5 亿美元兴建的研究与开发大楼揭幕，为纪念 Jack S.Kilby 而以他的的名字命名。Kilby Center 位于 TI 的达拉斯北校区，创建为世界上最先进的硅制造研究中心之一。

今天，Kilby Center 继续支持最先进的制造，包括 200 毫米晶圆上的高级 90nm 和 65nm 工艺。

TI 研究员正开发 DMOS 6 中更大的 300 毫米晶圆上的突破性制造工艺。这些工艺充当创建 TI 尖端数字信号处理解决方案的技术基础，并帮助 TI 保持其公认的 DSP 领导地位。

1958 年，TI 工程师 Jack Kilby 通过集成电路的发明引发了电子革命。然而 Kilby 的发明仅包含一个晶体管，今天 TI 最先进的微芯片可将数百万个晶体管封装在一块硅片上。

“Jack Kilby 的发明不只是我们时代最重要的发明之一，也是所有时代最重要的发明之一。” TI 总裁兼首席执行官 Tom Engibous 评论。“Jack 不仅仅发明了当时的集成芯片...他创造了未来。”