日期 事件 2006 年 6 月 TI 透露其 45 纳米 (nm) 工艺技术将采用湿式蚀刻平版处理工艺，从而使硅晶圆芯片的产量翻番。此工艺技术采用新水平的 SoC 处理器，在提高 30% 性能的同时降低的功耗达 40%。 2006 年 2 月 在国际固态电路会议 (ISSCC) 上，来自 TI、MIT 和 DARPA 的研究员展示了使用 TI 65nm 高级工艺制造的超低功耗 SRAM，它具备业内最低的报告电压。 2005 年 12 月 仅在首次提供样片的八个月之后，TI 便取得了其 65nm 工艺的认证并大量投入生产。 2005 年 9 月 TI 概述了采用 65nm 或更高工艺的 SmartReflex™ 技术，它通过漏电管理保证能够为高级移动设备解决功耗这项难题。 2005 年 3 月 TI 推出了业内首款用于高级无线设备的 65nm 数字基带处理器。TI 是最先推出运行 65nm 产品的半导体制造商之一。 2005 年 3 月 TI 采用了 90nm 工艺技术的 1GHz DSP 被 In-Stat 视为“2004 年度最佳 DSP 芯片” 2005 年 2 月 在国际固态电路会议 (ISSCC) 上，TI 概述了一些能够促进 SoC 集成、降低功耗和提高 90nm 设备性能的技术。 2005 年 2 月 TI 透露其生产了超过六百万台 90nm 设备，并具有超过 20 种位于此工艺生产不同阶段的产品。 2005 年 1 月 TI 宣布与诺基亚 (Nokia) 合作，开发基于公司集成单芯片解决方案的未来移动电话。该设备采样于 2004 年九月，启用了 TI 高级的 90nm 工艺技术。 2004 年 11 月 TI 将采用了 90nm 工艺的 1GHz DSP 大量投入生产，提升了创新应用的性能。 2004 年 10 月 TI 计划在 11 月将其第二间 300mm 制造厂取得的突破用于 65nm 的生产 2004 年 10 月 TI 获得了其在德克萨斯州达拉斯 DMOS6 高级 300mm 集成电路工厂的 90nm 工艺技术的认证。 2004 年 6 月 在最高 VLSI 研讨会上，TI 展示其能为将来的工艺潜在地降低高达 1000X 的漏电功耗，并以 35% 的幅度提升晶体管性能的技术的研究 2004 年 5 月 TI 通过连接面向低于 45nm 研究的工作组与 CMOS 调节难题以扩展 IMEC 关系 2004 年 4 月 TI 的 6.25Gbps 串行/解串器 (SerDes) 技术可采用 90nm 工艺，它具有行业最低功率并拥有片上集成超过 200 个通道的能力 2004 年 3 月 TI 宣布计划于 2005 年第一季度提供基于 65nm 工艺的产品样片，并预计将降低 90nm 设计一半或 40% 的功耗 2004 年 1 月 TI 生产出业内首款采用 90nm 工艺的 1GHz DSP 2003 年 12 月 TI 研究员展示了氮氧化铪硅 (HfSiON) 材料的结果以及在高 k 和持续摩尔定律情况下的稳定性。 2003 年 12 月 已发布的行业首款采用 90nm 工艺的无线应用处理器，功耗只需其它 TI 应用处理器的一半，提升了高达 40% 的性能 2003 年 10 月 TI 披露了提升 90nm 工艺性能的技术，其中包括能以 50% 的幅度提高晶体管运算速度的紧凑型芯片，其速度甚至超过了 TI 最快的 130nm 晶体管 2003 年 10 月 Sun 和 TI 共同庆祝其合作 15 周年以及期间所获得的成就，包括 Sun 的 UltraSPARC® IV 处理器的同步启动 2003 年 6 月 TI 选择德克萨斯州理查森市作为其下一个 300mm 制造厂所在地，并投资 30 亿美元。 2003 年 1 月 TI 交付出采用其 90nm 工艺、功能完备的无线数字基带码片，成为最先生产运行 90nm 产品的公司之一 2002 年 11 月 TI 推出了具有 64MB 测试芯片的嵌入式 FRAM 作为将来非易失性存储器选项。首款产品预计将于 05 年初推出 2002 年 10 月 由于 TI 杰出的工艺技术和 UltraSPARC® 微处理器制造技艺，Sun Microsystems 认可其作为“一流”供应商的地位 2002 年 2 月 TI 是最先披露其高级 90nm CMOS 工艺技术的公司之一