ZHDU159A July   2026  – July 2026

 

  1.   1
  2.   说明
  3.   开始使用
  4.   特性
  5.   应用
  6.   6
  7. 1评估模块概述
    1. 1.1 简介
    2. 1.2 套件内容
    3. 1.3 规格
    4. 1.4 器件信息
  8. 2硬件连接器、测试点和选择开关说明
    1. 2.1 连接器说明
    2. 2.2 跳线说明
    3. 2.3 测试点说明
  9. 3实现结果
    1. 3.1 测试设置
    2. 3.2 测试程序
    3. 3.3 注意事项
    4. 3.4 测试数据和性能曲线
      1. 3.4.1 热性能
      2. 3.4.2 效率
      3. 3.4.3 稳态波形
      4. 3.4.4 阶跃负载响应
      5. 3.4.5 交流环路响应曲线
  10. 4硬件设计文件
    1. 4.1 原理图
    2. 4.2 电路板布局
    3. 4.3 物料清单
  11. 5其他信息
    1. 5.1 通用德州仪器 (TI) 高压评估模块 (TI HV EVM) 用户安全指南
    2. 5.2 商标
  12. 6修订历史记录

4.3 物料清单

位号数量值器件型号制造商说明
C1、C2、C12、C2840.1uFCGA3E3X7S2A104K080ABTDK电容，陶瓷，0.1µF，100V，+/– 10%，X7S，AEC-Q200 1 级，0603
C3、C5、C6、C9、C14、C20、C21、C22、C40910µFCGA6P1X7R2A106K250ACTDK10µF ±10% 100V 陶瓷电容器 X7R 1210（公制 3225）
C4、C7、C23327µFA768KE276M1JLAE054KEMET电容铝制聚合物 27uF 63V 20% 焊接圆柱形 54mΩ 1175mA 2000 小时 125°C T/R
C8、C10、C133GRM188R72A104KA35DMurata0.1µF ±10% 100V 陶瓷电容器 X7R 0603（公制 1608）
C1110.1uFGCJ188R72A104KA01DMuRata电容，陶瓷，0.1µF，100V，+/-10%，X7R，AEC-Q200 1 级，0603
C15、C16、C2930.1uFGRM155R62A104KE14DMuRata电容，陶瓷，0.1uF，100V，+/-10%，X5R，0402
C17、C18、C19327µFPCR1K270MCL1GSNichicon27µF 80V 铝聚合物电容径向，Can - SMD 38mΩ 4000 小时，125°C
C2410.1uFGRM155R71H104ME14DMuRata电容，陶瓷，0.1μF，50V，+/-20%，X7R，0402
C251270pFGRM1555C1H271JA01DMuRata电容，陶瓷，270pF，50V，+/-5%，C0G/NP0，0402
C26、C27222µFGRT188R61A226ME13DMurata多层陶瓷电容器，22uF，10V，X5R ±20%，0603，纸质 T/R
C301680pF08051A681JAT2AAVX电容，陶瓷，680pF，100V，+/-5%，C0G/NP0，0805
C31、C3320.1uFGCM155R71H104KE02DMuRata电容，陶瓷，0.1µF，50V，+/– 10%，X7R，AEC-Q200 1 级，0402
C3211000pFC0805C102J1GACTUKemet电容，陶瓷，1000pF，100V，+/-5%，C0G/NP0，0805
C341220pF06035A221FAT2AAVX电容，陶瓷，220pF，50V，+/-1%，C0G/NP0，0603
C3610.012uFC0603C123K5RACTUKemet电容，陶瓷，0.012µF，50V，+/-10%，X7R，AEC-Q200 1 级，0603
C3710.02uFCC0603KRX7R9BB203Yageo电容，陶瓷，0.02µF，50V，+/-10%，X7R，0603
C3814700pF06031C472JAT2AAVX电容，陶瓷，4,700pF，100V，+/-5%，X7R，0603
C3910.047µF06035C473JAT2AAVX电容，陶瓷，0.047µF，50V，+/-5%，X7R，0603
C41110µFC3225X7R2A106K250ACTDK10µF ±10% 100V 陶瓷电容器 X7R 1210（公制 3225）
C43、C442680pFC0603C681J5GACTUKemet电容，陶瓷，680pF，50V，+/-5%，C0G/NP0，0603
D11BAS70-04E3-18Vishay二极管阵列，1 对串联肖特基，70V，200mA (DC)，表面贴装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
D2、D3248VSMBJ48A-13FDiodes Inc.二极管，TVS，单向，48V，77.4Vc，SMB
J1、J2、J5、J64108-0740-001Cinch Connectivity标准香蕉插孔，非绝缘，15A
J3、J4261300611121Wurth Elektronik接头，2.54mm，6x1，金，TH
J71SSW-105-02G-D-RASamtec10 位置插座连接器 0.100" (2.54mm) 穿孔，直角镀金
J81N2510-6002-RB3M接头（有罩），100mil，5x2，高温，镀金，TH
J91XT30PW-FAmass插座，直流电源，XT30，母头，引脚：2，在 PCB 上，THT，黄色，15A
J101XT30PW-MAmass插座，直流电源，XT30，公头，引脚：2，在 PCB 上，THT，黄色，15A，500V
J11、JP6、JP8、JP10、JP11、JP12661300211121Wurth Elektronik接头，2.54mm，2x1，金，TH
JP1、JP3、JP4、JP5、JP7、JP9661300311121Wurth Elektronik接头，2.54mm，3x1，金，TH
JP2161300511121Wurth Elektronik接头，2.54mm，5x1，金，TH
L114.7uH74439370047Wurth Elektronik电感器，屏蔽，金属复合物，4.7µH，17A，0.00385Ω，SMD
Q1、Q22IAUCN08S7L033ATMA1InfineonMOSFET N 沟道 80V 130A (Tj) 118W (Tc) 表面贴装 PG-TDSON-8-34
Q3、Q3A、Q4(1)3ISC0703NLSATMA1InfineonMOSFET N 沟道 60V 23A (Ta)、135A (Tc) 3W (Ta)、100W (Tc) 表面贴装 PG-TDSON-8
Q5160VCSD18540Q5B德州仪器 (TI)MOSFET，N 沟道，60V，100A，DNK0008A (VSON-CLIP-8)
R115.10kRC0603FR-075K1LYageo电阻，5.10k，1%，0.1W，0603
R2、R5、R9、R10、R15、R16、R20、R24、R27、R44100RMCF0603ZT0R00Stackpole Electronics Inc电阻，0，1%，0.1W，AEC-Q200 0 级，0603
R3110mKRL2012E-C-R010F-T05Susumu10mΩ，±1%，1W，片上电阻，宽，0805（公制 2012），0508，汽车 AEC-Q200，电流检测，金属箔
R4、R625mKRL2012E-M-R005F-T5Susumu5mΩ，±1%，1W，片上电阻，宽，0805（公制 2012），0508，汽车 AEC-Q200，电流检测，金属箔
R13、R14、R2833CRCW06033R00JNEAVishay-Dale电阻，3.0，5%，0.1W，AEC-Q200 0 级，0603
R17、R18210CRCW060310R0FKEAHPVishay-Dale电阻，10.0，1%，0.25W，AEC-Q200 0 级，0603
R21175.0kRC0603FR-0775KLYageo电阻，75.0k，1%，0.1W，0603
R22112.7kRC0603FR-0712K7LYageo电阻，12.7k，1%，0.1W，0603
R23、R2623CRCW12063R00JNEAVishay-Dale电阻，3.0，5%，0.25W，AEC-Q200 0 级，1206
R25110.0kRT0603BRD0710KLYageo America电阻，10.0k，0.1%，0.1W，0603
R2917.15kCRCW06037K15FKEAVishay-Dale电阻，7.15k，1%，0.1W，AEC-Q200 0 级，0603
R31197.6kRC0603FR-0797K6LYageo电阻，97.6k，1%，0.1W，0603
R32、R3323.9CRCW06033R90JNEAVishay-Dale电阻，3.9，5%，0.1W，AEC-Q200 0 级，0603
R34120.0kCRCW060320K0FKEAVishay-Dale电阻，20.0k，1%，0.1W，AEC-Q200 0 级，0603
R351390kRC0603FR-07390KLYageo电阻，390k，1%，0.1W，0603
R37120.5kCRCW060320K5FKEAVishay-Dale

电阻，20.5k，1%，0.1W，AEC-Q200 0 级，0603

R43110.0kTNPW060310K0BEEAVishay-Dale电阻，10.0k，0.1%，0.1W，AEC-Q200 1 级，0603
RT1110kTMP6131DECR德州仪器 (TI)具有 0402 和 0603 封装选项、容差为 ±1% 的 10kΩ 线性热敏电阻，2X1SON，-40°C 到 125°C
U11LM851772QRHARQ1德州仪器 (TI)具有 I2C 接口的 80V VIN 4 开关降压/升压控制器
C35056pF06035A560FAT2AAVX电容，陶瓷，56pF，50V，+/-1%，C0G/NP0，0603
C4204700pFC0603C472K5RACTUKemet电容，陶瓷，4700pF，50V，+/-10%，X7R，0603
Q1A0IAUCN08S7L033ATMA1InfineonMOSFET N 沟道 80V 130A (Tj) 118W (Tc) 表面贴装 PG-TDSON-8-34
R7、R11、R36、R3800RMCF0603ZT0R00Stackpole Electronics Inc电阻，0，1%，0.1W，AEC-Q200 0 级，0603
R8010RC0603FR-0710RLYageo电阻，10.0，1%，0.1W，0603
R12082.0kRC0603FR-0782KLYageo电阻，82.0k，1%，0.1W，0603
R1904.30kRC0603FR-074K3LYageo电阻，4.30k，1%，0.1W，0603
R30040.2kCRCW060340K2FKEAVishay-Dale电阻，40.2k，1%，0.1W，AEC-Q200 0 级，0603
R39、R4002.00kRC0603FR-072KLYageo电阻，2.00k，1%，0.1W，0603
R4103.83kCRCW06033K83FKEAVishay-Dale电阻，3.83k，1%，0.1W，AEC-Q200 0 级，0603
R4208.25kRC0603FR-078K25LYageo电阻，8.25k，1%，0.1W，0603
(1) Q3、Q3A、Q4 的替代器件：IAUC60N06S5L073

注意：EVM 修订版 B 更新：

  • R37 设置为 20.5k
  • 更新了警告标志上的丝印