ZHDU148 July 2026
要运行该测试,需要按 3.2.1 所示连接电路板。
在此测试中,在共模扼流圈短接的情况下测试升压级,并且移除了其中一个用于直流负载连接的直流链路电容器,如图 3-1 所示,测试结果如下所示。
即使 Vds 压摆率大于 40V/ns,图 3-2 中所示的开关节点波形也没有大的过冲或振铃,这表明 GaN 功率级具有干净的电源环路和良好的集成驱动器电路。
图 3-2 升压开关节点波形从图 3-3 中可以看出,高负载最大效率为 ~99.2%,满载效率为 ~99.1%。
可以注意到,在低负载条件下,有几个高效率点,其中升压电感器上的电流变为 0,升压处于 DCM 模式。在这种情况下,GaN 器件的导通电压非常低,几乎可以实现 ZVS,从而大大提高了效率。
如图 3-4 所示,GaN 在最大输出功率下的温升为 ~43°C。由于 GaN 的顶部与散热器连接,因此温度测量在 PCB 的另一侧。测试条件为输入电压 250VDC,输出电压 400VDC。