ZHDU148 July 2026
要运行该测试,需要按 图 3-5 所示连接电路板。直流输入为 400V,交流输出连接到 230Vrms 交流电压。
在此测试中,在短接共模扼流圈的情况下测试直流/交流级,并且移除了其中一个用于直流源连接的直流链路电容器,测试结果如下所示。
即使 Vds 压摆率大于 40V/ns,图 3-2 中所示的开关节点波形也没有大的过冲或振铃,这表明 GaN 功率级具有干净的电源环路和良好的集成驱动器电路。
通道 1 波形是一个桥臂开关节点,通道 2 波形是另一个桥臂开关节点波形。通道 4 波形是交流输出电流。
图 3-6 直流/交流开关节点波形如图 3-7 所示,直流/交流级的峰值效率为 ~98.4%。满负载效率为 ~98%。
在此测试中,在测试之前将散热器加热至 40°C,环境温度为~30°C,如图 3-8 所示,GaN 在最大输出功率下的温度为 ~80°C,GaN 的温升为 ~50°C。由于 GaN 的顶部与散热器连接,因此温度测量在 PCB 的另一侧。