ZHDS025F October 1987 – January 2026 TLC272 , TLC272A , TLC272B , TLC277
PRODUCTION DATA
指定了 TLC272 和 TLC277 的最小和最大输入电压，如果任一输入端超过该电压，可能会导致器件故障。超出此指定范围是一种常见问题，尤其是在单电源供电时。请注意，范围下限包括负电源导轨，而上限指定为 VDD – 1V（TA = 25°C 时）和 VDD – 1.5V（所有其他温度下）。
多晶硅栅极工艺的使用和精心设计的输入电路，使 TLC272 和 TLC277 与传统金属栅极工艺相比具有非常好的输入偏移电压漂移特性。CMOS 器件中的偏移电压漂移在很大程度上受到植入氧化物中的磷掺杂剂极化引起的阈值电压漂移的影响。将磷掺杂剂置于导体（如多晶硅栅极）中可缓解极化问题，从而使阈值电压漂移降低一个数量级以上。偏移电压随时间的漂移计算值通常为 0.1μV/月，包括运行的第一个月。
由于极高的输入阻抗和由此产生的低偏置电流要求，TLC272 和 TLC277 非常适合低电平信号处理；然而，印刷电路板和插座上的泄漏电流很容易超过偏置电流要求并导致器件性能下降。在输入端周围安装防护环（类似于节 5 部分中的图 5-4）是一种很好的做法。在与共模输入相同的电压电平下，必须从低阻抗源驱动这些防护装置（请参阅图 6-4）。
连接未使用的放大器作为接地的单位增益跟随器，以避免可能的振荡。