ZHDS017 December   2025 TPS1HC04-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 SNS 时序特性
    7. 6.7 开关特性
    8. 6.8 典型特性
  8. 7 参数测量信息
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1  输入电压阈值
      2. 8.3.2  精确的电流检测
        1. 8.3.2.1 SNS 响应时间
        2. 8.3.2.2 SNS 输出滤波器
        3. 8.3.2.3 跨器件电流检测的多路复用
      3. 8.3.3  过流保护
        1. 8.3.3.1 可调节限流
          1. 8.3.3.1.1 使用热调节的电流限制
          2. 8.3.3.1.2 不使用热调节的电流限制
          3. 8.3.3.1.3 电流限制折返
          4. 8.3.3.1.4 电流限制准确度
        2. 8.3.3.2 热关断
          1. 8.3.3.2.1 相对热关断
          2. 8.3.3.2.2 绝对热关断
      4. 8.3.4  热关断的重试保护机制
      5. 8.3.5  电感负载关断钳位
      6. 8.3.6  较慢压摆率选项
      7. 8.3.7  电容性负载充电
        1. 8.3.7.1 用于浪涌控制的可调节电流限制
        2. 8.3.7.2 具有容性负载热调节功能的电流限制
        3. 8.3.7.3 容性负载的重试热关断行为
        4. 8.3.7.4 直流负载对电容充电能力的影响
        5. 8.3.7.5 器件功能
      8. 8.3.8  灯泡充电
        1. 8.3.8.1 灯泡负载的非热调节模式
        2. 8.3.8.2 灯泡浪涌期间的热管理
        3. 8.3.8.3 器件功能
      9. 8.3.9  故障检测和报告
        1. 8.3.9.1 诊断使能功能
        2. 8.3.9.2 FLT 报告
        3. 8.3.9.3 FLT 时序
        4. 8.3.9.4 故障表
      10. 8.3.10 全面诊断
        1. 8.3.10.1 开路负载检测
          1. 8.3.10.1.1 通道导通
          2. 8.3.10.1.2 通道关断
        2. 8.3.10.2 电池短路检测
        3. 8.3.10.3 反极性和电池反向保护
      11. 8.3.11 全面保护
        1. 8.3.11.1 UVLO 保护
        2. 8.3.11.2 接地失效保护
        3. 8.3.11.3 电源失效保护
        4. 8.3.11.4 反向电流保护
        5. 8.3.11.5 MCU I/O 保护
    4. 8.4 器件功能模式
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
        1. 9.2.2.1 EMC 瞬态干扰测试
      3. 9.2.3 瞬态热性能
      4. 9.2.4 应用曲线
    3. 9.3 电源相关建议
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
      2. 9.4.2 布局示例
        1. 9.4.2.1 无接地网络
        2. 9.4.2.2 有接地网络
      3. 9.4.3 可湿侧面封装
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 第三方产品免责声明
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 支持资源
    4. 10.4 商标
    5. 10.5 静电放电警告
    6. 10.6 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息
8.3.3.1.3 电流限制折返

为了保护 MOSFET 在高 VDS 电压下免受过流影响，器件为更高的电流限制提供了电流限制折返机制。如果 VBB 电压高于 VDET1，则电流限制将折返至电流限制设定值的 1/2。如果 VBB 电压高于 VDET2，则电流限值将折返至电流限制设定值的 1/3。图 6-21 展示了整个 VBB 电压范围内的器件电流限制折返行为。