每个共模容差模式将在该模式的限制范围内实现良好的共模抑制。图 2-2 中的图形为 TAC5212EVM-K 上 ADC 输出的 FFT，输入端同时施加 1kHz 交流共模信号与共模直流偏置电压。图 2-2 (a) 为共模摆幅为 50mV_pp（处于 100mV_pp 容差限值内）时的 FFT（该值为 35.36mVrms，在 2Vrms 满量程摆幅下对应 - 35.05dBFS）。图 2-2 (b) 为共模摆幅处于 100mV_pp 容差限值时的 FFT。图 2-2 (c) 为共模摆幅超出 100 mV_pp 容差限值时的 FFT。

同理，图 2-3 和图 2-4 分别为器件配置为 CM_TOL 为 1 和 CM_TOL 为 2 时，TAC5212EVM-K 上 TAC5212 输出的 FFT。

TAx511x/TAx511x-Q1 器件在模式 0 下的 CMRR 典型值为 60dB，在同等信号幅值下，模式 1 和 2 的 CMRR 典型值会有若干分贝的变化。性能更高的 TAx521x 和 TAx521x-Q1 在模式 2 下的 CMRR 典型值可接近 80dB，是需要高共模容差并追求极致性能的应用系统的理想选择。图 2-5 展示了在 1kHz 共模信号下，CMRR 随输入共模摆幅变化的曲线。施加共模直流偏置电压的同时，交流信号电平从 50mVpp 变化至 2.75Vpp。图 2-5 中的 CMRR 为 TAC5212EVM-K 上两个输入通道的平均值。

请注意，外部差分信号路径中的不匹配因素（如走线阻抗、交流耦合电容器容差等）也会影响 ADC 输出端的 CMRR 表现。图 2-6 展示了 TAC5212EVM-K 上的 CMRR 随频率变化的曲线，包含两种情况：输入采用容差为 +/-20% 的 10µF 电容交流耦合，以及输入为直流耦合。本次测量采用 100mV_p-p 的共模信号电平。图 2-6 中的 CMRR 为两个输入通道的平均值。