ZHCY200 November   2023

 

  1.   1
  2.   概述
  3.   内容概览
  4.   为何选择高压？
  5.   通过元件创新来优化宽带隙 FET 性能
  6.   选择合适的栅极驱动器
  7.   选择合适的控制器
  8.   利用拓扑创新更大限度提高功率密度
  9.   利用系统级创新实现超高效率目标
  10.   应对 EMI 挑战
  11.   结论
  12.   其他资源