为了尽可能减少开关损耗，必须尽可能缩短开关节点的上升和下降时间。为了防止电场和磁场辐射以及高频谐振问题，采用合适的元件布局来尽可能简化高频电流路径环路非常重要。请仔细按照以下特定顺序来实现正确的布局。
- VIN 和 SYS 的高频去耦电容器应尽可能靠近与充电器 IC 位于同一层的各自引脚和接地引脚放置（换句话说，没有通孔），以获得最小的电流返回环路。
- 将 REGN 电容器接地，并将 BTST 电容接至 SW，两者应尽可能靠近各自的引脚放置。
- 将电流检测电阻器的高频去耦电容器尽可能靠近各自的引脚放置。从检测电阻到其 IC 的布线应远离电源引脚（VIN、SWx、SYS）。
- 在上述步骤 1 中将电感器尽可能靠近 SW1 和 SW2 引脚放置。因为过孔只会给本身具有更高电感和 DCR 的电感器增加少量的电感和电阻，所以使用多个过孔来建立这些连接是可以接受的。
- 虽然此 EVM 具有连接到充电 GND 引脚的模拟接地 (AGND) 和电源接地 (PGND) 平面，但并不需要两个电源平面/覆铜。用于设置敏感节点（例如，ACx、SRx、ILIM_HIZ、TS）的电阻器和电容器可以使用一个公共接地平面，但其接地端子需远离包含开关噪声的大电流接地回路
如需了解建议的元件放置方式以及布线和过孔位置，请参阅 EVM 设计。