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    • ZHCUAM9 April   2021 TPS61379-Q1

       

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  1.   摘要
  2.   商标
  3. 1引言
    1. 1.1 性能规格
    2. 1.2 修改
    3. 1.3 输入电容器 C9
  4. 2测试设置
    1. 2.1 输入/输出连接器说明
  5. 3原理图和物料清单
    1. 3.1 原理图
    2. 3.2 物料清单
  6. 4电路板布局
  7. 重要声明
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EVM USER'S GUIDE

TPS61379Q1EVM-082 评估模块

本资源的原文使用英文撰写。 为方便起见,TI 提供了译文;由于翻译过程中可能使用了自动化工具,TI 不保证译文的准确性。 为确认准确性,请务必访问 ti.com 参考最新的英文版本(控制文档)。

1 摘要

本用户指南介绍了适用于 TPS61379-Q1 的评估模块 (EVM) 的设置、原理图和布局。该 EVM 有助于评估器件在不同输入电压、输出电压和负载条件下的行为和性能。该 EVM 针对 3.3V 至 6.5V 输入电压和 9V 输出电压应用进行了优化。可以根据数据表修改反馈分压器和补偿网络,以适合其他应用条件。

商标

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1 引言

TPS61379-Q1 是一款完全集成的同步升压转换器,集成了负载断开功能。该器件适用于对汽车应用进行后升压,可编程电流限制高达 2A,最大输出电压为 18.5V。该 EVM 针对 3.3V 至 6.5V 输入电压和 9V 输出电压应用进行了优化。通过修改 TPS61379-Q1 器件的外部元件即可轻松更改该 EVM 的工作条件。

1.1 性能规格

表 1-1 提供了 TPS61379Q1EVM 性能规格的汇总。所有规格均为在 25°C 环境温度下的值。

表 1-1 性能规格
规格测试条件最小值典型值最大值单位
输入电压3.35.06.5V
输出电压VIN = 5V,IO = 0.5A8.899.2V
输出电流VIN = 3.3 V

0.3

A
VIN = 5V0.45
开关频率2.2MHz

1.2 修改

可以修改 TPS61379-Q1 器件的外部元件,以调节实际应用的输出电压、开关电流限制、开关频率和响应速度。对于 VIN 高于 6.0V 的情况,应焊接电阻器 R10,因为 EN 最大额定电压为 6.0V。

1.3 输入电容器 C9

EVM 中新增了 47μF、25V 钽电容器 C9 作为输入电容器。当 EVM 由带有长电缆的电源供电时,钽电容器的 ESR 为 0.12Ω,以抑制输入电容器的振铃。此电容器不是必需组件,在实际应用中可以删除。

2 测试设置

本节介绍了如何正确连接、设置和使用 TPS61379Q1EVM-082。

2.1 输入/输出连接器说明

请参阅以下文档:

TP1电源的正极连接
TP2负载的正极连接
TP3电源的负极连接
TP4负载的负极连接
TP5测量波特图的测试点
TP6测量 SW 引脚波形的测试点
J1用于测量效率的输入电压负检测。VIN_S+ 用于正输入,VIN_S- 用于负输入。
J2用于测量效率的输出电压负检测。VOUT_S+ 用于输出正节点,VOUT_S- 用于输出负节点。
J3MODE 引脚输入跳线。在 MODE 和 VCC 之间放置一根跳线以设置为强制 PWM 模式,在 MODE 和 GND 之间放置一根跳线以设置为自动 PFM 模式。
J4EN 引脚输入跳线。使跳线跨接 EN 和 ON 以开启 IC。使跳线跨接 EN 和 OFF 以关断 IC。
J5固定输出电压选择跳线。在 R14 处焊接一个 0Ω。在引脚 1 和引脚 2 之间放置一根跳线以设置 5V 固定 VOUT,在引脚 3 和引脚 4 之间放置一根跳线以设置 5.25V 固定 VOUT,在引脚 5 和引脚 6 之间放置一根跳线以设置 5.5V 固定 VOUT。

3 原理图和物料清单

此部分提供了 TPS61379Q1-082 原理图和物料清单 (BOM)。

3.1 原理图

图 3-1 显示了 TPS61379Q1EVM-082 原理图。

GUID-20210408-CA0I-7XPV-CGHF-SZDZGB2LN78D-low.gif图 3-1 TPS61379Q1EVM-082 原理图

3.2 物料清单

表 3-1 列出了 TPS61379Q1EVM-082 的 BOM。

表 3-1 TPS61379Q1EVM-082 物料清单
标识符 数量 值 说明 封装参考 器件型号 制造商
C1 1 2.2µF 电容,陶瓷,2.2µF,10V,±10%,X7R,AEC-Q200 1 级,0603 0603 GRM188R71A225KE15J MuRata
C2 1 1µF 电容,陶瓷,1uF,25V,±10%,X7R,AEC-Q200 1 级,0603 0603 GCM188R71E105KA64D Murata
C3、C4 2 10µF 电容,陶瓷,10uF,16V,±10%,X7R,AEC-Q200 1 级,1206 1206 GCM31CR71C106KA64L MuRata
C6 1 1.5µF 电容,陶瓷,1.5uF,25V,±10%,X7R,0805 0805 GCJ21BR71E155KA01 MuRata
C8 1 0.1µF 电容,陶瓷,0.1µF,50V,±10%,X7R,0603 0603 GCM188R71H104KA57D MuRata
C9 1 47µF 电容,钽,47uF,25V,±20%,0.12 欧姆,SMD 7343-31 T495D476M025ATE120 Kemet
C10、C11 2 10µF 电容,陶瓷,10µF,10V,±10%,X7R,AEC-Q200 1 级,0805 0805 GCJ21BR71A106KE01L MuRata
C12 1 1µF 电容,陶瓷,1µF,10V,±5%,X7R,AEC-Q200 1 级,0603 0603 C0603X105J8RAC7867 Kemet
C15 1 1000pF 电容,陶瓷,1000pF,50V,±10%,X7R,AEC-Q200 1 级,0402 0402 GCM155R71H102KA37D MuRata(村田)
J1、J2 2 接头,100mil,4 × 1,金,TH 4 × 1 接头 TSW-104-07-G-S Samtec(申泰)
J3、J4 2 接头,100mil,3 × 1,镀金,TH 3 × 1 接头 TSW-103-07-G-S Samtec
J5 1 接头,100mil,3 × 2,镀金,TH 3 × 2 接头 TSW-103-07-G-D Samtec
L1 1 1uH 模压电感器,屏蔽,1μH 20%,7.9A,21.3mΩ DCR 最大值,AEC-Q200,T/R 3.2 × 3.5 mm XGL3515-102MEC Coilcraft(线艺)
R1 1 49.9Ω 电阻,49.9Ω,1%,0.063W,AEC-Q200 0 级,0402 0402 CRCW040249R9FKED Vishay-Dale
R2 1 1.02MΩ 电阻,1.02MΩ,1%,0.063W,AEC-Q200 0 级,0402 0402 CRCW04021M02FKED Vishay-Dale
R3、R8、R9 3 100kΩ 电阻,100kΩ,1%,0.063W,AEC-Q200 0 级,0402 0402 CRCW0402100KFKED Vishay-Dale
R6 1 18.0k 电阻,18.0k,1%,0.063W,AEC-Q200 0 级,0402 0402 CRCW040218K0FKED Vishay-Dale(威世达勒)
R7 1 80.6kΩ 电阻,80.6kΩ,1%,0.063W,AEC-Q200 0 级,0402 0402 CRCW040280K6FKED Vishay-Dale
R11 1 1.00k 电阻,1.00k,1%,0.063W,AEC-Q200 0 级,0402 0402 CRCW04021K00FKED Vishay-Dale(威世达勒)
R12 1 3.00k 电阻,3.00kΩ,1%,0.063W,AEC-Q200 0 级,0402 0402 CRCW04023K00FKED Vishay-Dale(威世达勒)
R13 1 5.11k 电阻,5.11kΩ,1%,0.063W,AEC-Q200 0 级,0402 0402 CRCW04025K11FKED Vishay-Dale
R15 1 0Ω 电阻,0Ω,5%,0.063W,AEC-Q200 0 级,0402 0402 CRCW04020000Z0ED Vishay-Dale
SH-JP1、SH-JP2 2 分流器,100mil,镀金,黑色 分流器,2 位,100mil 881545-2 TE Connectivity(泰科电子)
TP1、TP2、TP3、TP4 4 引脚,双转塔,TH Keystone1502-2 1502-2 Keystone
TP5、TP6 2 测试点,通用,红色,TH 红色通用测试点 5010 Keystone
U1 1 具有负载断开功能的 25uA 静态电流、2A 开关电流同步升压转换器,RTE0016C (WQFN-16) RTE0016C TPS61379QRTE 德州仪器 (TI)
C5 0 10µF 电容,陶瓷,10uF,16V,±10%,X7R,AEC-Q200 1 级,1206 1206 GCM31CR71C106KA64L MuRata
C7 0 100pF 电容,陶瓷,100pF,50V,±10%,X7R,0402 0402 885012205055 Wurth Elektronik(伍尔特电子)
C13 0 1000pF 电容,陶瓷,1000pF,100V,±10%,X7R,0603 0603 GRM188R72A102KA01D MuRata(村田)
C14 0 15pF 电容,陶瓷,15pF,50V,±5%,C0G/NP0,0402 0402 GRM1555C1H150JA01D MuRata(村田)
C16 0 220µF 电容,混合聚合物,220μF,25V,±20%,27Ω,8×10 SMD 8 × 10 EEHZC1E221P Panasonic
FID1、FID2、FID3 0 基准标记。没有需要购买或安装的元件。 不适用 不适用 不适用
R4 0 2.05 电阻,2.05,1%,0.125W,AEC-Q200 0 级,0805 0805 CRCW08052R05FKEA Vishay-Dale
R10 0 200kΩ 电阻,200k,1%,0.063W,AEC-Q200 0 级,0402 0402 CRCW0402200KFKED Vishay-Dale(威世达勒)
R5、R14 0 0 电阻,0Ω,5%,0.063W,AEC-Q200 0 级,0402 0402 CRCW04020000Z0ED Vishay-Dale

4 电路板布局

TPS61379Q1EVM 板是 4 层 PCB,使用 2oz 厚的覆铜。所有元件均位于顶层。图 4-1 和图 4-2 分别显示了顶视图和底视图。图 4-3 和图 4-4 分别显示了内部第 1 层和内部第 2 层。

GUID-20210408-CA0I-6ZKQ-S1TC-KWH9SX6TBBQZ-low.gif图 4-1 TPS61379Q1EVM-082 顶面布局
GUID-20210408-CA0I-LT3K-QQFT-XH3H9J1RCNNX-low.gif图 4-2 TPS61379Q1EVM-082 底面布局
GUID-20210408-CA0I-VR29-52KG-QSPGQQKLTJKX-low.gif图 4-3 TPS61379Q1EVM-082 内部第 1 层布局
GUID-20210408-CA0I-GLQK-KZZ2-Z0GKM2SB5TZ6-low.gif图 4-4 TPS61379Q1EVM-082 内部第 2 层布局

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