ZHCUA63 May   2022 TPSI3052-Q1

 

  1.   摘要
  2.   商标
  3.   通用德州仪器（TI）高压评估（TI HV EVM）用户安全指南
  4. 1引言
    1. 1.1 特性
    2. 1.2 应用
    3. 1.3 说明
  5. 2连接说明
  6. 3工作模式
    1. 3.1 两线模式
    2. 3.2 三线模式
  7. 4负载配置
  8. 5原理图
  9. 6布局
  10. 7物料清单

4 负载配置

此 EVM 可支持不同的负载配置，从而更大程度地为用户提供灵活性。

  1. MOSFET 配置：
    1. 图 4-1 显示了使用两个背对背公共源 MOSFET 的应用。通过连接 SW1 和 SW2 端子之间的负载，用户可以加载 EVM 与交流或直流负载。通过使用两个背对背 FET，体二极管能够切断正电压和负电压。此外，可以通过添加 RC 缓冲器，在出现高电感负载时抑制开关振荡。
      图 4-1 交流/直流负载
    2. 图 4-2 显示了使用两个并联公共源 MOSFET 的应用。此操作允许用户实现更低的 RDSON。由于一个 MOSFET 在关闭时不能阻断反向电流，因此此配置的建议负载为直流负载。
      图 4-2 直流负载