ZHCU989 February   2022 LM5149-Q1

 

  1.   LM5149-Q1 评估模块
  2.   商标
  3. 1高密度 EVM 说明
    1. 1.1 典型应用
    2. 1.2 特性和电气性能
  4. 2EVM 特性
  5. 3应用电路图
  6. 4EVM 照片
  7. 5测试装置和过程
    1. 5.1 EVM 连接
    2. 5.2 测试设备
    3. 5.3 建议的测试设置
      1. 5.3.1 输入连接
      2. 5.3.2 输出连接
    4. 5.4 测试步骤
      1. 5.4.1 线路和负载调节，效率
  8. 6测试数据和性能曲线
    1. 6.1 转换效率
    2. 6.2 工作波形
      1. 6.2.1 开关
      2. 6.2.2 负载瞬态响应
      3. 6.2.3 线路瞬态响应
      4. 6.2.4 通过 EN 启动和关断
      5. 6.2.5 通过 VIN 启动和关断
    3. 6.3 波特图
    4. 6.4 CISPR 25 EMI 性能
    5. 6.5 热性能
  9. 7EVM 文档
    1. 7.1 原理图
    2. 7.2 物料清单
    3. 7.3 PCB 布局
    4. 7.4 元件图
  10. 8器件和文档支持
    1. 8.1 器件支持
      1. 8.1.1 开发支持
    2. 8.2 文档支持
      1. 8.2.1 相关文档
        1. 8.2.1.1 PCB 布局资源
        2. 8.2.1.2 热设计资源

1.2 特性和电气性能

  • 15V 至 72V 的宽输入电压工作范围

  • 精度为 1% 的 12V、5V、3.3V 固定输出电压或低至 0.8V 的可调输出电压

  • 400kHz 开关频率，可从外部进行升高或降低 20% 的同步操作
  • VIN 为 48V 时具有 95% 的满载效率
  • VIN 为 48V 时具有 55µA 的控制器待机电流
  • 经过优化，可实现超低 EMI
    • 双随机展频和有源 EMI 滤波
    • 符合 CISPR 25 和 UNECE 第 10 号法规 EMI 标准
  • 峰值电流模式控制架构可提供快速线路和负载瞬态响应
    • 与开关频率相适应的集成式斜坡补偿
    • 强制 PWM (FPWM) 或脉频调制 (PFM) 操作
    • 可选的内部或外部环路补偿
  • 集成式高侧和低侧功率 MOSFET 栅极驱动器
    • 2.2A 灌电流和 3.2A 拉电流栅极驱动电流能力
    • 13ns 自适应死区时间控制功能可降低功率耗散和 MOSFET 温升
  • 通过断续模式为持续过载情况提供过流保护 (OCP)
  • 与内部时钟存在 180° 相位差的 SYNCOUT 信号
  • 使用 100kΩ 上拉电阻器连接到 VCC 的电源正常信号
  • 内部 3ms 软启动
  • 经全面组装、测试和验证的 PCB 布局，总面积为 83mm × 43mm