ZHCU937A april   2022  – june 2023 TPSI2140-Q1

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4.   通用德州仪器 (TI) 高压评估模块 (TI HV EVM) 用户安全指南
  5. 1引言
    1. 1.1 特性
    2. 1.2 应用
    3. 1.3 说明
  6. 2连接说明
  7. 3测试设备
  8. 4建议的测试设置
    1. 4.1 波形
    2. 4.2 S2 分压器
  9. 5原理图
  10. 6PCB 布局
  11. 7物料清单
  12. 8修订历史记录

1.3 说明

TPSI2140Q1EVM 是包含多个测试点和跳线的四铜层板，用于全面评估器件的功能。初级侧由四个差分驱动器组成，为次级侧的每个内部 MOSFET 提供电力和使能逻辑信息。次级侧的每个 MOSFET 都有专用的全桥整流器来形成本地电源。当使能引脚变为高电平时，振荡器启动并且驱动器跨隔离栅输送电力和逻辑高电平。TPSI2140-Q1 具有雪崩性能稳健的 MOSFET 并且采用的 11 引脚 DWQ 封装上的加宽引脚具有散热优势，使其可以通过高压（HiPot）筛选，并且无需任何外部保护元件即可承受高达 2mA 的直流快速充电器浪涌电流。

GUID-20210119-CA0I-9QWR-HWTH-5J5MVTR3P0LB-low.svg图 1-1 TPSI2140-Q1 功能方框图
表 1-1 器件信息
器件型号封装封装尺寸（标称值）
TPSI2140-Q1SOIC 11 引脚（DWQ）10.3mm × 7.5mm