USER'S GUIDE
BQ2573X 评估模块
本资源的原文使用英文撰写。 为方便起见，TI 提供了译文；由于翻译过程中可能使用了自动化工具，TI 不保证译文的准确性。 为确认准确性，请务必访问 ti.com 参考最新的英文版本（控制文档）。
商标
USB Type-Cis a TM ofUSB Implementer's Forum, Inc..
Other TMs
1 引言
1.1 EVM 特性
该 EVM 支持以下特性：
- 用于 BQ2573X 器件的评估模块
- 支持 3.5V 至 26V 输入源
- 工作输入范围为 3.5V 至 26V、0A 至 10A，支持 1–5 节电池配置
- 支持 USB 2.0、USB 3.0、USB 3.1 (USB Type-C™) 和 USB_PD
- 支持具有 3V 至 24V 可调输出的 USB OTG
- 支持 USB_PD 的快速角色交换 (FRS) 功能
- 窄 VDC (NVDC) 电源路径管理
- 无需电池或深度放电的电池即可瞬时启动
- 适配器满载时，电池可为系统补充电量
- 400kHz 或 800kHz 开关频率，可实现高效率
- 电源路径 (BQ25730) 或非电源路径 (BQ25731) 选项
- 用于 CPU 节流的功率和电流监控器
- 安全
- 热关断
- 输入和系统过压保护
- MOSFET 过流保护
- 针对 LED 或主机处理器的充电状态输出
- 通过输入电压稳压实现的最大功率跟踪功能
- 可用于测试目的的关键信号测试点。探针组装简便。
- 可采用跳线。易于更换连接。
1.2 总体描述
BQ2573X 评估模块是完整的充电器模块，用于评估使用 BQ2573X 器件的 I2C 控制型降压/升压充电器。
BQ2573X EVM 不包含 EV2400 接口板。若要评估 BQ2573X EVM，请单独订购 EV2400 接口板。
BQ2573X 是同步 NVDC-1 降压/升压充电控制器，可以为空间受限的多化学物电池充电应用提供元件数很少的高效解决方案。
BQ2573X 通过各种输入源（包括 5V USB 适配器到高电压 USB PD 源和传统适配器）为电池充电。
在上电期间，充电器基于输入源和电池状况，将转换器设置为降压、升压或降压/升压配置。在充电周期内，充电器自动在降压、升压、降压/升压配置间转换，无需主机控制。
BQ2573X 可监控适配器电流、电池电流和系统功率。灵活编程的 PROCHOT 输出直达 CPU，可根据需要降低其频率。
更多有关寄存器功能的详细信息，请参阅 BQ25730 具有系统功率监测器和电源路径控制功能的 I2C 1-5 节窄 VDC 降压/升压电池充电控制器 和 BQ25731 I2C 1-5 节窄 VDC 降压/升压电池充电控制器数据表。
表 1-1 列出了 I/O 说明。
表 1-1 I/O 说明
| 插孔 | 说明 |
|---|---|
| J1–VIN | 输入：正极端子 |
| J1–PGND | 输入：负极端子（接地端子） |
| J2-CHRG_OK | CHRG_OK 输出 |
| J2-OTG/VAP | 外部 OTG/VAP 禁用引脚；逻辑低电平禁用 OTG/VAP |
| J2-CELL_CONTROL | 外部电池移除控制；逻辑高电平将 CELL 引脚拉低 |
| J2-ILIM_HIZ | 外部转换器禁用；逻辑低电平启用高阻态模式 |
| J3-SCL | SMBUS/I2C SCL |
| J3-GND | 接地 |
| J3–SDA | SMBUS/I2C SDA |
| J4-GND | 接地 |
| J4-CMPIN | 外部 CMPIN 引脚输入 |
| J4-CMPOUT | CMPOUT 引脚输出 |
| J5-VBAT | 连接到电池组输出 |
| J5-PGND | 接地 |
| J6-VSYS | 连接到系统输出 |
| J6-PGND | 接地 |
| J7–SDA | SMBUS/I2C SDA |
| J7-SCL | SMBUS/I2C SCL |
| J7-GND | 接地 |
表 1-2 显示了控制和关键参数设置。
表 1-2 控制和关键参数设置
| 跳线 | 说明 | 出厂设置 |
|---|---|---|
| JP2 | 跳线开启：正向模式 跳线关闭：启用 OTG |
已安装 |
| JP3 | CELL 设置 1S：JP3(1-2) 测量 CELL 引脚电压 1.2V 2S：JP3(3-4) 测量 CELL 引脚电压 2.7V 3S：JP3(5-6) 测量 CELL 引脚电压 3.9V 4S：JP3(7-8) 测量 CELL 引脚电压 4.2V 5S：JP3(9-10) 测量 CELL 引脚电压 6.0V |
JP3(3-4) 已安装 |
| JP4 | 跳线开启：电池移除 跳线关闭：由 JP3 进行电池设置 |
未安装 |
| JP6 | 高阻态启用 跳线开启：启用高阻态模式。 跳线关闭：由外部电阻分压器设置 ILIM |
未安装 |
| JP8 | 跳线开启：使板载 LDO 驱动 EVM 3V3 跳线关闭：断开用于驱动 EVM 3V3 的板载 LDO |
已安装 |
表 1-3 列出了建议的运行条件。
表 1-3 建议运行的条件
| 符号 | 说明 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 电源电压，VIN | 来自交流适配器输入的输入电压 | 3.5 | 5/12/20 | 26 | V |
| 电池电压，VBAT | 在 VBAT 端子上施加的电压 | 0 | 23 | V | |
| 电源电流，IAC | 来自交流适配器输入的最大输入电流 | 0 | 10 | A | |
| 输出电流 IOUT | 输出电流 | 0 | 15 | A | |
| 运行结温范围，TJ | 0 | 125 | °C |
2 测试总结
2.1 定义
该过程详细说明了如何配置 BMS051 评估板。对于测试过程，请遵循以下命名约定。详细信息，请参阅 BMS051 原理图。
| VXXX： | 外部电压名称（VADP、VBT、VSBT）。 | |
| LOADW： | 外部负载名称（LOADR、LOADI）。 | |
| V(TPyyy)： | 内部测试点 TPyyy 处的电压。例如，V(TP12) 表示 TP12 处的电压。 | |
| V(Jxx)： | 插孔端子 Jxx 处的电压。 | |
| V(TP(XXX))： | 测试点“XXX”处的电压。例如，V(ACDET) 表示标记为“ACDET”的测试点处的电压。 | |
| V(XXX, YYY)： | XXX 和 YYY 两点之间的电压。 | |
| I(JXX(YYY))： | 从插孔 XX 的 YYY 端子流出的电流。 | |
| Jxx(BBB)： | 插孔 xx 的端子或引脚 BBB。 | |
| Jxx 开启： | 内部跳线 Jxx 端子短接。 | |
| Jxx 关闭： | 内部跳线 Jxx 端子打开。 | |
| Jxx (-YY-) 开启： | 邻近内部跳线 Jxx 、标记为“YY”的端子短接。 | |
| 测量：→ A,B | 检查指定的参数 A、B。如果测量值不在指定范围内，则被测部件发生故障。 | |
| 观察 → A,B | 观察是否出现 A、B。如果它们未出现，则被测部件发生故障。 |
装配图提供了跳线、测试点和各个元件的位置。
2.2 设备
全面测试 EVM 需要下列设备：
- 电源
需要一个能够提供 26 V 电压、10 A 电流的电源。虽然此器件能够处理更大的电压和电流，但在此过程中无需这样。
- 1 号负载
一个 0 至 23V/0 至 15A 系统直流电子负载，设置为恒流负载模式。
- 2 号负载
一个 Kepco 负载：BOP36-12M，直流 0 至 ±36V，0 至 ±12A（或更高），或等效设备。
- 仪表
六个 Fluke 75 万用表（性能相当或更高）或：四个性能相当的电压表和两个性能相当的电流表。
- 计算机
至少有一个 USB 端口和一条 USB 电缆的计算机。
- EV2400 通信套件
- 软件
从 http://www.ti.com.cn/tool/cn/BQstudio 下载 BQstudio 并正确安装该软件。
2.3 设备设置
根据以下指南来设置设备：
- 将电源 1 设置为 10V 直流、5A 电流限制，然后关闭电源。
- 将电源 1 的输出与一个电流表串联在一起，然后连接到 J1（VIN 和 PGND）。
- 在 J1 (VIN) 和 J1 (PGND) 之间连接一个电压表。
- 将负载 1 与一个电流表串联在一起，然后连接到 J6（VSYS 和 PGND）。在 J6（VSYS 和 PGND）上连接一个电压表。在恒流模式下设置 1A。关闭 1 号负载。
- 将负载 2 与一个电流表串联在一起，然后连接到 J5（VBAT 和 PGND）。在 J5（VBAT 和 PGND）上连接一个电压表。将 KEPCO 负载输出设置为 7V。关闭 2 号负载。注：
测试时如不使用真实电池，则要在 BAT 引脚上添加一个 47µF 电容器。
- 将 J3 连接到 EV2400。将 J3 连接到 EV2400 上的 I2C 端口 2。图 2-1 显示了这些连接。
该图片显示了 SMBus 版 EVM 连接。对于 I2C 版本，请将连接器移至 I2C 接头。图 2-1 EV2400 连接 - 使用表 1-2 中的“出厂设置”安装跳线。
完成这些步骤之后，BMS051 的测试设置如图 2-2 所示。
图 2-2 用于 BMS051 (BQ2573X EVM) 的原始测试设置 - 打开计算机和 1 号电源。打开 BQstudio 软件。
- 选择 Charger 并点击 Next 按钮。
- 在 Select a Target 页面中选择“Charger_1_00_BQ2573x.bqz”。
- 选择目标器件后，将“update mode”从“immediate”更改为“manual”，点击“Read Register”，此时会显示以下界面。
- 选择 Charger 并点击 Next 按钮。
图 2-3 BQ2573X 评估软件主窗口2.4 过程
2.4.1 充电功能
- 确保执行设备设置步骤。
- 将“Tgt Address”设置为“D6(6B)”
- 将“020A”写入充电选项 0 寄存器 0x00H。
测量 → V(J1(VIN)) = 10V ±0.5V
测量 → V(TP28(CHG_OK)) = 3V 至 4.5V
测量 → V(TP21(REGN)) = 6V ±1V
测量 → V(TP22(ILIM_HIZ)) = 2.2V - 将“0400”写入充电电流 0x02H。
打开 1 号负载。
测量 → V(J6(VSYS)) = 8.4V ±0.5V - 打开 2 号负载（VBAT 负载）。
测量 → V(J5(VBAT)) = 7V ±0.5V
测量 → I(J5(VBAT)) = 2A ±0.5V
2.4.2 OTG 功能
按照以下说明进行 OTG 功能设置：
- 将 7V 电源连接到 VBAT 负载。从 J1 上移除 VIN 电源（必须从电路板上物理断开连接）。
- 将“09C4”写入 OTG 电压寄存器。
- 将“1000”写入 OTG 电流寄存器。
- 拆除 JP2（启用 OTG/VAP 功能）。
- 在 Charge Option 3 中选中 EN_OTG。
测量 → V(J1(VIN)) = 5V ±1V
图 2-4 EN_OTG
3 物料清单、电路板布局和原理图
本节包含 EVM BOM、电路板布局图像和原理图。
3.1 物料清单
表 3-1 列出了 BQ2573X EVM 物料清单。
表 3-1 BQ2573X EVM 物料清单
| 名称 | 数量 | 值 | 说明 | 封装参考 | 器件型号 | 制造商 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| !PCB1 | 1 | 印刷电路板 | BMS051 | 不限 | ||
| C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9、C10、C21、C23、C24、C40、C42、C43、C44、C45、C51、C52 | 18 | 10uF | 电容，陶瓷，10uF，35V，+/- 10%，X5R，0805 | 805 | GRM21BR6YA106KE43L | Murata（村田） |
| C11、C12、C41 | 3 | 0.01uF | 电容，陶瓷，0.01uF，50V，+/-5%，X7R，0603 | 603 | C0603C103J5RACTU | Kemet（基美） |
| C15，C16 | 2 | 0.047uF | 电容，陶瓷，0.047uF，25V，+/-10%，X7R，0603 | 603 | GRM188R71E473KA01D | Murata（村田） |
| C17 | 1 | 1000pF | 电容，陶瓷，1000pF，50V，+/-5%，C0G/NP0，0402 | 402 | C1005NP01H102J050BA | TDK |
| C18、C28、C29 | 3 | 1µF | 电容，陶瓷，1uF，35V，+/-10%，X7R，0603 | 603 | CGA3E1X7R1V105K080AC | TDK |
| C19，C20 | 2 | 150pF | 电容，陶瓷，150pF，50V，+/-5%，C0G/NP0，0603 | 603 | C0603C151J5GACTU | Kemet（基美） |
| C22、C27、C38、C39 | 4 | 0.1uF | 电容，陶瓷，0.1uF，50V，+/-10%，X7R，0603 | 603 | CGA3E2X7R1H104K080AA | TDK |
| C25 | 1 | 0.47uF | 电容，陶瓷，0.47uF，50V，+/-10%，X7R，0805 | 805 | C2012X7R1H474K125AB | TDK |
| C26、C55 | 2 | 10uF | 电容，陶瓷，10uF，25V，+/-10%，X7R，1206 | 1206 | GRM31CR71E106KA12L | MuRata（村田） |
| C30 | 1 | 2.2uF | 电容，陶瓷，2.2uF，35V，+/-10%，X5R，0603 | 603 | GRM188R6YA225KA12D | MuRata（村田） |
| C31 | 1 | 33pF | 电容，陶瓷，33pF，50V，+/-5%，C0G/NP0，0402 | 402 | GRM1555C1H330JA01D | MuRata（村田） |
| C32 | 1 | 680pF | 电容，陶瓷，680pF，50V，+/-5%，C0G/NP0，0402 | 402 | GRM1555C1H681JA01D | MuRata（村田） |
| C33 | 1 | 4700pF | 电容，陶瓷，4700pF，50V，+/-10%，X7R，0402 | 402 | GRM155R71H472KA01D | Murata（村田） |
| C34 | 1 | 15pF | 电容，陶瓷，15pF，50V，+/-5%，C0G/NP0，0402 | 402 | GRM1555C1H150JA01D | MuRata（村田） |
| C35、C36、C37 | 3 | 100pF | 电容，陶瓷，100pF，50V，+/-5%，C0G/NP0，0603 | 603 | C0603C101J5GAC | Kemet（基美） |
| C46、C47 | 2 | 0.033µF | 电容，陶瓷，0.033uF，50V，+/-10%，X7R，0603 | 603 | GRM188R71H333KA61D | Murata（村田） |
| C48、C49、C53 | 3 | 33µF | 电容，钽，33uF，35V，+/-20%，0.065 欧姆，SMD | 7343-31 | T521D336M035ATE065 | Kemet（基美） |
| D2，D3 | 2 | 30V | 二极管，肖特基，30V，0.2A，SOD-323 | SOD-323 | BAT54HT1G | ON Semiconductor（安森美半岛体） |
| D4 | 1 | 绿色 | LED，绿色，SMD | 1.6x0.8x0.8mm | LTST-C190GKT | Lite-On（建兴电子） |
| H1、H2、H3、H4 | 4 | Bumpon，Hemisphere，0.44 X 0.20，Clear | Transparent Bumpon | SJ-5303 (CLEAR) | 3M | |
| J1、J5、J6 | 3 | 端子块，5.08mm，2x1，黄铜，TH | 2x1 5.08mm 端子块 | ED120/2DS | On-Shore Technology | |
| J2 | 1 | 端子块，3.5mm 间距，4x1，TH | 14x8.2x6.5mm | ED555/4DS | On-Shore Technology | |
| J3 | 1 | 连接器接头，穿孔，直角，4 位，0.100" (2.54mm) | HDR4 | 22053041 | Molex（莫仕） | |
| J4 | 1 | 端子块，3.5mm 间距，3x1，TH | 10.5mm x 8.2mm x 6.5mm | ED555/3DS | On-Shore Technology | |
| J7 | 1 | 接头（有罩），100mil，5x2，高温，镀金，TH | 5x2 有罩接头 | N2510-6002-RB | 3M | |
| JP2、JP4、JP6、JP8 | 4 | 接头，100mil，2x1，镀金，TH | 接头，2x1，100mil | 5-146261-1 | TE Connectivity（泰科电子） | |
| JP3 | 1 | 接头，100mil，5x2，金，TH | 5x2 接头 | TSW-105-07-G-D | Samtec（申泰） | |
| L1 | 1 | 4.7µH 屏蔽线绕电感器，13A，9mΩ（最大值），10x10x4mm | SMT_IND_11MM2_10MM1 | BMQADY1010404R7MA1 | Chilisin Electronics（奇力新电子） | |
| LBL1 | 1 | 热转印打印标签，0.650"（宽）x 0.200"（高）- 10,000/卷 | PCB 标签 0.650 x 0.200 英寸 | THT-14-423-10 | Brady（布雷迪） | |
| Q1, Q2, Q3, Q4 | 4 | 30V | MOSFET，N 沟道，30V，27A，DFN5x6 | DFN5x6 | AON6362 | AOS |
| Q5 | 1 | -30V | MOSFET，P 沟道，-30V，-85A，DFN5x6 | DFN5x6 | AON6407 | AOS |
| Q6, Q7 | 2 | -30V | MOSFET，P 沟道，-30V，-8.5A，AEC-Q101，8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN | DMP3035SFG-7 | Diodes Inc. |
| Q9 | 1 | 50V | 晶体管，NPN/PNP 对，50V，0.05A，SC-74R | SC-74R | DCX124EK-7-F | Diodes Inc. |
| Q10、Q11、Q12 | 3 | 60V | MOSFET，N 沟道，60V，0.26A，SOT-23 | SOT-23 | 2N7002ET1G | ON Semiconductor（安森美半岛体） |
| R1，R2 | 2 | 0.005 | 电阻，0.005，1%，1W，AEC-Q200 0 级，1206 | 1206 | WSLP12065L000FEA | Vishay-Dale（威世达勒） |
| R3，R4 | 2 | 3.9 | 电阻，3.9，5%，0.25W，AEC-Q200 0 级，1206 | 1206 | CRCW12063R90JNEA | Vishay-Dale（威世达勒） |
| R7、R24、R29 | 3 | 300k | 电阻，300k，1%，0.1W，AEC-Q200 0 级，0603 | 603 | CRCW0603300KFKEA | Vishay-Dale（威世达勒） |
| R8 | 1 | 0 | 电阻，0，1%，0.5W，0805 | 805 | 5106 | Keystone |
| R9、R28 | 2 | 100k | 电阻，100k，1%，0.1W，0603 | 603 | RC0603FR-07100KL | Yageo（国巨） |
| R10、R38 | 2 | 10 | 电阻，10.0，1%，0.25W，AEC-Q200 0 级，1206 | 1206 | ERJ-8ENF10R0V | Panasonic（松下） |
| R11、R12 | 2 | 4.99 | 电阻，4.99，1%，0.1W，AEC-Q200 0 级，0603 | 603 | CRCW06034R99FKEA | Vishay-Dale（威世达勒） |
| R13 | 1 | 1 | 电阻，1.0，5%，0.125W，AEC-Q200 0 级，0805 | 805 | CRCW08051R00JNEA | Vishay-Dale（威世达勒） |
| R14 | 1 | 20k | 电阻，20k，5%，0.1W，AEC-Q200 0 级，0603 | 603 | CRCW060320K0JNEA | Vishay-Dale（威世达勒） |
| R15、R16、R18 | 3 | 10 | 电阻，10，5%，0.1W，AEC-Q200 0 级，0603 | 603 | CRCW060310R0JNEA | Vishay-Dale（威世达勒） |
| R17、R25、R32、R33、R35、R39、R45 | 7 | 10.0k | 电阻，10.0k，1%，0.1W，AEC-Q200 0 级，0603 | 603 | CRCW060310K0FKEA | Vishay-Dale（威世达勒） |
| R19 | 1 | 383k | 电阻，383k，1%，0.1W，AEC-Q200 0 级，0603 | 603 | CRCW0603383KFKEA | Vishay-Dale（威世达勒） |
| R20 | 1 | 82k | 电阻，82k，5%，0.1W，AEC-Q200 0 级，0603 | 603 | CRCW060382K0JNEA | Vishay-Dale（威世达勒） |
| R21 | 1 | 1.00k | 电阻，1.00k，1%，0.1W，AEC-Q200 0 级，0603 | 603 | CRCW06031K00FKEA | Vishay-Dale（威世达勒） |
| R22 | 1 | 40.2k | 电阻，40.2k，1%，0.063W，AEC-Q200 0 级，0402 | 402 | CRCW040240K2FKED | Vishay-Dale（威世达勒） |
| R23 | 1 | 15.0k | 电阻，15.0k，1%，0.063W，AEC-Q200 0 级，0402 | 402 | CRCW040215K0FKED | Vishay-Dale（威世达勒） |
| R27 | 1 | 220k | 电阻，220k，1%，0.1W，0603 | 603 | RC0603FR-07220KL | Yageo（国巨） |
| R30 | 1 | 191k | 电阻，191k，1%，0.1W，AEC-Q200 0 级，0603 | 603 | CRCW0603191KFKEA | Vishay-Dale（威世达勒） |
| R34 | 1 | 30.1k | 电阻，30.1k，1%，0.1W，AEC-Q200 0 级，0603 | 603 | CRCW060330K1FKEA | Vishay-Dale（威世达勒） |
| R36 | 1 | 2.00k | 电阻，2.00k，1%，0.1W，AEC-Q200 0 级，0603 | 603 | CRCW06032K00FKEA | Vishay-Dale（威世达勒） |
| R40 | 1 | 2.0M | 电阻，2.0M，5%，0.1W，AEC-Q200 0 级，0603 | 603 | CRCW06032M00JNEA | Vishay-Dale（威世达勒） |
| R41 | 1 | 150k | 电阻，150k，5%，0.1W，AEC-Q200 0 级，0603 | 603 | CRCW0603150KJNEA | Vishay-Dale（威世达勒） |
| R42 | 1 | 33k | 电阻，33k，5%，0.1W，AEC-Q200 0 级，0603 | 603 | CRCW060333K0JNEA | Vishay-Dale（威世达勒） |
| SH-JP2、SH-JP3、SH-JP8 | 3 | 1x2 | 分流器，100mil，镀金，黑色 | 分流器 | SNT-100-BK-G | Samtec（申泰） |
| TP2、TP3、TP12、TP15、TP16、TP17、TP18、TP19、TP20、TP21、TP22、TP23、TP24、TP25、TP26、TP27、TP28、TP29、TP30、TP32、TP33、TP34、TP35、TP36、TP37、TP38 | 26 | SMT | 测试点，微型，SMT | Testpoint_Keystone_Miniature | 5015 | Keystone |
| TP4、TP5、TP9 | 3 | 测试点，多用途，红色，TH | 红色多用途测试点 | 5010 | Keystone | |
| TP6、TP7、TP10、TP11、TP13、TP14 | 6 | 白色 | 测试点，微型，白色，TH | White Miniature Testpoint | 5002 | Keystone |
| TP8、TP31、TP39 | 3 | 测试点，多用途，黑色，TH | 黑色多用途测试点 | 5011 | Keystone | |
| U1 | 1 | I2C 1 至 5 节窄 VDC 降压/升压电池充电控制器 | WQFN32 | 适用于 BQ25730EVM 的 BQ25730RSN；适用于 BQ25731EVM 的 BQ25731RSN | 德州仪器（TI） | |
| U2 | 1 | 100mA 准低压降线性稳压器，3 引脚 SOT-23，无铅 | DBZ0003A | LM3480IM3-3.3/NOPB | 德州仪器 (TI) | |
| Z1 | 1 | 26V | 二极管，TVS，双向，26V，42.1Vc，400W，9.5A，SMA（非极化） | SMA（非极化） | SMAJ26CA | Littelfuse（力特公司） |
| C2 | 0 | 47µF | 电容，铝聚合物，47uF，25V，+/-20%，0.03 欧姆，F61 SMD | F61 | 25SVPF47M | Panasonic（松下） |
| C13、C14 | 0 | 330pF | 电容，陶瓷，330pF，50V，+/-10%，X7R，0603 | 603 | GRM188R71H331KA01D | Murata（村田） |
| C50、C54、C56 | 0 | 33µF | 电容，钽，33uF，35V，+/-20%，0.065 欧姆，SMD | 7343-31 | T521D336M035ATE065 | Kemet（基美） |
| C57 | 0 | 0.068uF | 电容，陶瓷，0.068uF，50V，+/-10%，X7R，AEC-Q200 1 级，0402 | 402 | CGA2B3X7R1H683K050BB | TDK |
| C58、C59 | 0 | 0.018uF | 电容，陶瓷，0.018uF，50V，+/-10%，X7R，0603 | 603 | GRM188R71H183KA01D | MuRata（村田） |
| D1 | 0 | 20V | 二极管，肖特基，20V，2A，SMA | SMA | B220A-13-F | Diodes Inc. |
| FID1、FID2、FID3、FID4、FID5、FID6 | 0 | 基准标记。没有需要购买或安装的元件。 | 不适用 | 不适用 | 不适用 | |
| R5, R6 | 0 | 56 | 电阻，56，5%，0.1W，AEC-Q200 0 级，0603 | 603 | CRCW060356R0JNEA | Vishay-Dale（威世达勒） |
| R31 | 0 | 100 | 电阻，100，1%，0.1W，AEC-Q200 0 级，0603 | 603 | CRCW0603100RFKEA | Vishay-Dale（威世达勒） |
| R37 | 0 | 10.0k | 电阻，10.0k，1%，0.1W，AEC-Q200 0 级，0603 | 603 | CRCW060310K0FKEA | Vishay-Dale（威世达勒） |
| R43、R46 | 0 | 0 | 电阻，0，1%，0.5W，0805 | 805 | 5106 | Keystone |
| R44 | 0 | 100k | 电阻，100k，1%，0.1W，AEC-Q200 0 级，0603 | 603 | CRCW0603100KFKEA | Vishay-Dale（威世达勒） |
| SH-JP4、SH-JP6 | 0 | 1x2 | 分流器，100mil，镀金，黑色 | 分流器 | SNT-100-BK-G | Samtec（申泰） |
- 对于 BQ25730EVM，请安装 Q5，不要安装 R46；对于 BQ25731EVM，请安装 R46，不要安装 Q5。
