ZHCT422A August 2023 – February 2024 AM2431 , AM2432 , AM2434
引言
为实现应用目的选择闪存器件时，需要考虑一些因素。本文档介绍了特定闪存必须满足的一些基本要求，以便在引导操作和应用程序执行期间与 AM243x 器件兼容。
在用户系统中，可用两种不同的方式来使用闪存：
- 存储器用作引导介质；应用程序映像存储在闪存中并用作引导加载程序源。
- 存储器在应用程序执行过程中用作存储介质。
在选择闪存 IC 时，器件必须符合片上系统 (SoC) 的所有引导要求。如果存储器用作引导介质，则必须遵循一些指导原则，才能在应用程序执行期间作为存储器件高效工作。
图 1 展示了存在次级引导加载程序 (SBL) 映像和有效应用程序映像时的闪存结构。
图 1 QSPI 闪存映射图 2 展示了引导流程，其中考虑了闪存的使用情况，并假设闪存中已存在有效映像。
图 2 一般引导流程本文档中使用的首字母缩写词
SBL - 次级引导加载程序
MCU – 微控制器单元
QSPI - 四线串行外设接口
OSPI - 八线串行外设接口
ROM – 只读存储器
SoC – 片上系统
SDK – 软件开发包
UART – 通用异步接收器/发送器
ROM 引导要求
如图 2 所示，引导流程是 AM243x 采用的一个在上电时启动的序列。ROM 代码已设置为以特定方式工作，需要来自闪存的特定指令，并需要用于建立通信的特定时序和组帧配置。AM243x 器件支持多种引导模式，ROM 代码需要以下支持：
- 闪存器件的工作电压必须为 1.8V 或 3.3V 左右，因为 AM243x 支持双电压轨
- 在 OSPI 引导模式下，闪存必须支持八路输出快速读取（操作码 0x8B）和 1S-1S-8S 传输协议
- 在 QSPI 引导模式下，闪存必须支持四路输出快速读取（操作码 0x6B）和 1S-1S-4S 传输协议
- 在前面提到的读取操作期间，器件必须允许 8 个虚拟 时钟周期来设置初始地址
- 默认情况下，闪存必须支持 3 字节（24 位）寻址模式
- 建议至少使用 4MB 的闪存大小
- 默认情况下，闪存不得在八进制模式下引导
所有这些信息均可在所评估的闪存器件的数据表中找到。闪存器件必须支持上述所有要点，才能满足 AM243x 兼容性要求。
应用要求
应用特定的要求往往比 ROM 代码执行要求更宽松，因为配置不当和缺少支持不会导致系统引导失败。对于通用闪存应用，必须满足以下要求：
- 闪存器件的工作电压必须为 1.8V 或 3.3V 左右。
- 如果闪存大于 16MB (128Mb)，则需要支持 RESET 信号的闪存器件封装，以防止器件热复位影响 ROM 代码执行。
其他使用因素
在确定要用于应用的闪存器件时，请考虑以下各项：
- 闪存的用途是什么？某些应用需要比其他应用更多的闪存存储，具体取决于存储器是用于引导还是存储。
- 是否要使用整个存储器？如果不需要较大的存储空间，则可以使用尺寸更小且成本更低的闪存器件。
- 应用是否严重依赖于闪存？通常情况下，8MB 到 16MB 对于应用来说足够了，但这取决于外部存储的使用量。
- 闪存器件是否支持 RESET 信号？如果必须在应用的任何点使用 4 字节寻址模式，则需要一个 RESET 信号来防止复位时的引导问题。
MCU PLUS SDK 中的闪存支持
MCU PLUS SDK 附带针对库中特定闪存的默认闪存软件支持。如果所评估的闪存符合要求，但 SDK 中没有兼容的软件驱动程序，请遵循有关如何添加对闪存的支持的说明：
兼容的闪存器件
以下列表显示了一些器件，根据器件特定数据表中的信息，这些器件符合与 AM243x Sitara MCU 配合使用时正确运行的要求。此列表仅供参考：
- S25HS02GT、S25HS04GT、S25HL02GT、S25HL04GT
- 制造商：Infineon
- W25Q 系列
- 制造商：Winbond
- GD25 系列
- 制造商：GigaDevice
- IS25LE、IS25LP 系列
- 制造商：ISSI
- MT35XU512ABA、MT25Q
- 制造商：Micron