ZHCSZF8 December   2025 TRF0213-SEP

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 单端转差分放大器
      2. 6.3.2 单电源供电
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 断电模式
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
      1. 7.1.1 驱动高速 ADC
      2. 7.1.2 计算输出电压摆幅
      3. 7.1.3 散热注意事项
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 TRF0213-SEP 在接收链中
        1. 7.2.1.1 设计要求
        2. 7.2.1.2 详细设计过程
        3. 7.2.1.3 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 支持资源
    2. 8.2 器件支持
      1. 8.2.1 第三方产品免责声明
    3. 8.3 文档支持
      1. 8.3.1 相关文档
    4. 8.4 接收文档更新通知
    5. 8.5 商标
    6. 8.6 静电放电警告
    7. 8.7 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

5.6 典型特性

TA = 25°C，温度曲线指定环境温度，VDD = 5V，输入和输出端具有 100nF 的交流耦合电容器，50Ω 单端输入，100Ω 差分输出（除非另有说明）

TRF0213-SEP 整个温度范围内的功率增益
PIN = 所有激励端口均接 50Ω 信号源时为 –20dBm，
非激励端口与 50Ω 端接
图 5-1 整个温度范围内的功率增益
TRF0213-SEP 整个温度范围内的输入回波损耗
PIN = 所有激励端口均接 50Ω 信号源时为 –20dBm，
非激励端口与 50Ω 端接
图 5-3 整个温度范围内的输入回波损耗
TRF0213-SEP 整个温度范围内的反向隔离
PIN = 所有激励端口均接 50Ω 信号源时为 –20dBm，
非激励端口与 50Ω 端接
图 5-5 整个温度范围内的反向隔离
TRF0213-SEP 整个温度范围内的输出回波损耗
PIN = 所有激励端口均接 50Ω 信号源时为 –20dBm，
非激励端口与 50Ω 端接
图 5-7 整个温度范围内的输出回波损耗
TRF0213-SEP 整个温度范围内的 OIP3
PO/子载波 = –5dBm，10MHz 子载波间隔
图 5-9 整个温度范围内的 OIP3
TRF0213-SEP 整个输出功率范围内的 OIP3
10MHz 频率间隔
图 5-11 整个输出功率范围内的 OIP3
TRF0213-SEP 整个温度范围内的 IMD3 更低
在 (2f1-f2) 频率条件下，f1 < f2；PO/子载波 = –5dBm，
10MHz 子载波间隔
图 5-13 整个温度范围内的 IMD3 更低
TRF0213-SEP 整个温度范围内的 IMD3 更高
在 (2f2-f1) 频率条件下，f1 < f2；PO/子载波 = –5dBm，
10MHz 子载波间隔
图 5-15 整个温度范围内的 IMD3 更高
TRF0213-SEP 整个输出功率范围内的 IMD3 较低
在 (2f1-f2) 频率条件下，f1 < f2；
10MHz 子载波间隔
图 5-17 整个输出功率范围内的 IMD3 较低
TRF0213-SEP 整个温度范围内的 OIP2 更低
在 (f2-f1) 频率条件下，f2 > f1；PO/子载波 = –5dBm，
10MHz 子载波间隔
图 5-19 整个温度范围内的 OIP2 更低
TRF0213-SEP 整个温度范围内的 OIP2 更高
在 (f2+f1) 频率条件下，f2 > f1；PO/子载波 = –5dBm，
10MHz 子载波间隔
图 5-21 整个温度范围内的 OIP2 更高
TRF0213-SEP 整个温度范围内的 IMD2 更低
在 (f2-f1) 频率条件下，f2 > f1；PO/子载波 = –5dBm，
10MHz 子载波间隔
图 5-23 整个温度范围内的 IMD2 更低
TRF0213-SEP 整个温度范围内的 IMD2 更高
在 (f2+f1) 频率条件下，f2 > f1；PO/子载波 = –5dBm，
10MHz 子载波间隔
图 5-25 整个温度范围内的 IMD2 更高
TRF0213-SEP 整个输出功率范围内的 IMD2 较低
在 (f2-f1) 频率条件下，f2 > f1；
10MHz 子载波间隔
图 5-27 整个输出功率范围内的 IMD2 较低
TRF0213-SEP 整个温度范围内的 HD2
PO = +3dBm
图 5-29 整个温度范围内的 HD2
TRF0213-SEP 整个温度范围内的 HD3
PO = +3dBm
图 5-31 整个温度范围内的 HD3
TRF0213-SEP 整个输出功率范围内的 HD2
 
图 5-33 整个输出功率范围内的 HD2
TRF0213-SEP 整个温度范围内的输出 P1dB
 
图 5-35 整个温度范围内的输出 P1dB
TRF0213-SEP 整个温度范围内的 NF
 
图 5-37 整个温度范围内的 NF
TRF0213-SEP 整个温度范围内的增益不平衡
 
图 5-39 整个温度范围内的增益不平衡
TRF0213-SEP 整个温度范围内的相位不平衡
 
图 5-41 整个温度范围内的相位不平衡
TRF0213-SEP 整个温度范围内的 CMRR
 
图 5-43 整个温度范围内的 CMRR
TRF0213-SEP 输出功率跨输入功率
 
图 5-45 输出功率跨输入功率
TRF0213-SEP 过驱恢复响应
 
图 5-47 过驱恢复响应
TRF0213-SEP 导通时间
 
图 5-49 导通时间
TRF0213-SEP 附加（残留）相位噪声
f = 1GHz，PO = 10dBm
图 5-51 附加（残留）相位噪声
TRF0213-SEP 整个 VDD 范围内的功率增益
PIN = 所有激励端口均接 50Ω 信号源时为 –20dBm，
非激励端口与 50Ω 端接
图 5-2 整个 VDD 范围内的功率增益
TRF0213-SEP 整个 VDD 内的输入回波损耗
PIN = 所有激励端口均接 50Ω 信号源时为 –20dBm，
非激励端口与 50Ω 端接
图 5-4 整个 VDD 内的输入回波损耗
TRF0213-SEP 整个 VDD 范围内的反向隔离
PIN = 所有激励端口均接 50Ω 信号源时为 –20dBm，
非激励端口与 50Ω 端接
图 5-6 整个 VDD 范围内的反向隔离
TRF0213-SEP 整个 VDD 内的输出回波损耗
PIN = 所有激励端口均接 50Ω 信号源时为 –20dBm，
非激励端口与 50Ω 端接
图 5-8 整个 VDD 内的输出回波损耗
TRF0213-SEP 整个 VDD 范围内的 OIP3
PO/子载波 = –5dBm，10MHz 子载波间隔
图 5-10 整个 VDD 范围内的 OIP3
TRF0213-SEP 不同子载波间隔下的 OIP3
PO/子载波 = –5dBm
图 5-12 不同子载波间隔下的 OIP3
TRF0213-SEP 整个 VDD 范围内的 IMD3 更低
在 (2f1-f2) 频率条件下，f1 < f2；PO/子载波 = –5dBm，
10MHz 子载波间隔
图 5-14 整个 VDD 范围内的 IMD3 更低
TRF0213-SEP 整个 VDD 范围内的 IMD3 更高
在 (2f2-f1) 频率条件下，f1 < f2；PO/子载波 = –5dBm，
10MHz 子载波间隔
图 5-16 整个 VDD 范围内的 IMD3 更高
TRF0213-SEP 整个输出功率范围内的 IMD3 较高
在 (2f2-f1) 频率条件下，f1 < f2；
10MHz 子载波间隔
图 5-18 整个输出功率范围内的 IMD3 较高
TRF0213-SEP 整个 VDD 范围内的 OIP2 更低
在 (f2-f1) 频率条件下，f2 > f1；PO/子载波 = –5dBm，
10MHz 子载波间隔
图 5-20 整个 VDD 范围内的 OIP2 更低
TRF0213-SEP 整个 VDD 范围内的 OIP2 更高
在 (f2+f1) 频率条件下，f2 > f1；PO/子载波 = –5dBm，
10MHz 子载波间隔
图 5-22 整个 VDD 范围内的 OIP2 更高
TRF0213-SEP 整个 VDD 范围内的 IMD2 更低
在 (f2-f1) 频率条件下，f2 > f1；PO/子载波 = –5dBm，
10MHz 子载波间隔
图 5-24 整个 VDD 范围内的 IMD2 更低
TRF0213-SEP 整个 VDD 范围内的 IMD2 更高
在 (f2+f1) 频率条件下，f2 > f1；PO/子载波 = –5dBm，
10MHz 子载波间隔
图 5-26 整个 VDD 范围内的 IMD2 更高
TRF0213-SEP 整个输出功率范围内的 IMD2 较高
在 (f2+f1) 频率条件下，f2 > f1；
10MHz 子载波间隔
图 5-28 整个输出功率范围内的 IMD2 较高
TRF0213-SEP 整个 VDD 范围内的 HD2
PO = +3dBm
图 5-30 整个 VDD 范围内的 HD2
TRF0213-SEP 整个 VDD 范围内的 HD3
PO = +3dBm
图 5-32 整个 VDD 范围内的 HD3
TRF0213-SEP 整个输出功率范围内的 HD3
 
图 5-34 整个输出功率范围内的 HD3
TRF0213-SEP 整个 VDD 范围内的输出 P1dB
 
图 5-36 整个 VDD 范围内的输出 P1dB
TRF0213-SEP 整个 VDD 范围内的 NF
 
图 5-38 整个 VDD 范围内的 NF
TRF0213-SEP 整个 VDD 范围内的增益不平衡
 
图 5-40 整个 VDD 范围内的增益不平衡
TRF0213-SEP 整个 VDD 范围内的相位不平衡
 
图 5-42 整个 VDD 范围内的相位不平衡
TRF0213-SEP 整个 VDD 范围内的 CMRR
 
图 5-44 整个 VDD 范围内的 CMRR
TRF0213-SEP 低频率增益响应
低频率截止频率与交流耦合电容的函数关系
图 5-46 低频率增益响应
TRF0213-SEP 阶跃响应
VO = 1VPP
图 5-48 阶跃响应
TRF0213-SEP 关断时间
 
图 5-50 关断时间