ZHCSZC9 December   2025 TLV9041D , TLV9042D

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 单通道器件的热性能信息
    5. 5.5 双通道器件的热性能信息
    6. 5.6 电气特性
    7. 5.7 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 工作电压
      2. 6.3.2 轨到轨输入和输出
      3. 6.3.3 具有宽增益带宽积的解补偿架构
      4. 6.3.4 容性负载和稳定性
      5. 6.3.5 过载恢复
      6. 6.3.6 EMI 抑制
      7. 6.3.7 电过应力
      8. 6.3.8 输入和 ESD 保护
    4. 6.4 器件功能模式
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 TLV904xD 低侧电流检测应用
        1. 7.2.1.1 设计要求
        2. 7.2.1.2 详细设计过程
        3. 7.2.1.3 应用曲线
      2. 7.2.2 3V/V 非反相增益
      3. 7.2.3 250kΩ 增益跨阻设计
        1. 7.2.3.1 设计要求
        2. 7.2.3.2 详细设计过程
        3. 7.2.3.3 应用曲线
  9. 8 电源相关建议
  10. 9 布局
    1. 9.1 布局指南
    2. 9.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 文档支持
      1. 10.1.1 相关文档
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 支持资源
    4.     商标
    5. 10.4 静电放电警告
    6. 10.5 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

5.6 电气特性

TA = 25°C时，VS = (V+) – (V–) = 1.2 V 至 5.5 V (±0.6 V to ±2.75 V)、RF = 180kΩ、G = 10 V/V、RL = 100 kΩ 连接至 VS / 2、VCM = VS / 2 且 VOUT = VS / 2（除非另有说明）。
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
失调电压
VOS 输入偏移电压 ±0.5 ±1.8 mV
TA = -40°C 至 125°C ±2
dVOS/dT 输入失调电压漂移 TA = -40°C 至 125°C ±0.4 µV/℃
PSRR 输入失调电压与电源间的关系 VS = ±0.6V 至 ±2.75V，VCM = V– 80 95 dB
输入偏置电流
IB 输入偏置电流 (1) ±0.5 ±12 pA
IOS 输入失调电流(1) ±0.5 ±2.5 pA
噪声
EN 输入电压噪声 f = 0.1Hz 至 10Hz   4.5 μVPP
eN 输入电压噪声密度 f = 100Hz 55 nV/√Hz
f = 1kHz   36  
f = 10kHz   33  
iN 输入电流噪声(2) f = 1kHz   10   fA/√Hz
输入电压范围
VCM 共模电压范围 (V–) (V+) V
CMRR 共模抑制比 (V–) < VCM < (V+) – 0.7V，VS = 1.2V TA = -40°C 至 125°C 65 80 dB
(V–) < VCM < (V+) – 0.7V，VS = 5.5V 76 89
(V–) < VCM < (V+)，VS = 1.2V 60
(V–) < VCM < (V+)，VS = 5.5V 58 72
输入阻抗
ZID 差分 80 || 2 GΩ || pF
ZICM 共模 100 || 1 GΩ || pF
开环增益
AOL 开环电压增益 VS = 1.2V，(V–) + 0.2V < VO < (V+) – 0.2V，
RL = 10kΩ（连接至 VS/2）		 TA = -40°C 至 125°C 100 dB
VS = 5.5V，(V–) + 0.2V < VO < (V+) – 0.2V，
RL = 10kΩ（连接至 VS/2）		 127
VS = 1.2V，(V–) + 0.1V < VO < (V+) – 0.1V，
RL = 100kΩ（连接至 VS/2）		 110
VS = 5.5V，(V–) + 0.1V < VO < (V+) – 0.1V，
RL = 100kΩ（连接至 VS/2）		 109 125
频率响应
THD+N 总谐波失真 + 噪声 (3) VS = 5.5V，VCM = 2.75V，VO = 1VRMS，G = +10，f = 1kHz，
RL = 100kΩ（连接至 VS/2）		 0.02 %
GBW 增益带宽积 G = 100V/V，RF = 1.8MΩ，RL = 1MΩ（连接至 VS/2） 3.1 MHz
SR 压摆率 VS = 5.5V，G = +10，CL = 10pF，TLV9041D VS = 5.5V，G = +10，CL = 10pF 1.5 V/μs
SR 压摆率 VS = 5.5 V，G = +10，CL = 10 pF，TLV9042D 0.8 V/μs
tS 趋稳时间 精度达 0.1%，VS = 5.5V，VSTEP = 400mV，G = +10，CL = 10pF 23 μs
精度达到 0.1%，VS = 5.5V，VSTEP = 200mV，G = +10，CL = 10pF 22
精度达到 0.01%，VS = 5.5V，VSTEP = 400mV，G = +10，CL = 10pF 32
精度达到 0.01%，VS = 5.5V，VSTEP = 200mV，G = +10，CL = 10pF 31
相位裕度 CL = 10pF 72 °
过载恢复时间 VIN × 增益 > VS (TLV9041D) VIN  × 增益 > VS 5 μs
过载恢复时间 VIN × 增益 > VS (TLV9042D) 11 μs
EMIRR 电磁干扰抑制比 f = 1GHz，VIN_EMIRR = 100mV 89 dB
输出
  相对于电源轨的电压输出摆幅 正电源轨余量 VS = 1.2V、
RL = 100kΩ（连接至 VS/2）		   0.75 7 mV
VS = 5.5V、
RL = 10kΩ（连接至 VS/2）		   9 21
VS = 5.5V、
RL = 100kΩ（连接至 VS/2）		   1 8
负电源轨余量 VS = 1.2V、
RL = 100kΩ（连接至 VS/2）		   0.75 5
VS = 5.5V、
RL = 10kΩ（连接至 VS/2）		   8 21
VS = 5.5V、
RL = 100kΩ（连接至 VS/2）		   0.85 8
ISC 短路电流(4) VS = 5.5V ±40 mA
ZO 开环输出阻抗 f = 10kHz 8250 Ω
电源
IQ 每个放大器的静态电流 VS = 5.5V，IO = 0A，TLV9041D 16.5 21 µA
TA = -40°C 至 125°C 22
每个放大器的静态电流 VS = 5.5V，IO = 0A，TLV9042D 16 19.5
TA = -40°C 至 125°C 20
加电时间 TA = 25°C，VS = 5.5V，VS 升降速率 > 0.3V/µs
 90 μs
(1) 根据表征结果指定最大 IB 和 IOS 限制。大于 2.5V 的输入差分电压会导致 IB 增加
(2) 典型的输入电流噪声数据是根据设计仿真结果指定的
(3) 三阶滤波器；-3dB 时的带宽 = 80kHz。
(4) 短路电流是拉出和吸收短路电流的平均值