ZHCSZ62 November   2025 TPSM828502-Q1

PRODMIX  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 典型特性
  8. 7 参数测量信息
    1. 7.1 原理图
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 精密使能端 (EN)
      2. 8.3.2 COMP/FSET
      3. 8.3.3 MODE/SYNC
      4. 8.3.4 展频时钟 (SSC)
      5. 8.3.5 欠压锁定 (UVLO)
      6. 8.3.6 电源正常状态输出 (PG)
      7. 8.3.7 热关断
    4. 8.4 器件功能模式
      1. 8.4.1 脉宽调制 (PWM) 运行
      2. 8.4.2 节能模式运行 (PFM/PWM)
      3. 8.4.3 100% 占空比运行
      4. 8.4.4 电流限制和短路保护
      5. 8.4.5 输出放电
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
        1. 9.2.2.1 设置输出电压
        2. 9.2.2.2 前馈电容器
        3. 9.2.2.3 输入电容器
        4. 9.2.2.4 输出电容器
      3. 9.2.3 应用曲线
    3. 9.3 系统示例
      1. 9.3.1 与外部时钟同步
    4. 9.4 电源相关建议
    5. 9.5 布局
      1. 9.5.1 布局指南
      2. 9.5.2 布局示例
        1. 9.5.2.1 散热注意事项
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 器件支持
      1. 10.1.1 第三方产品免责声明
    2. 10.2 文档支持
      1. 10.2.1 相关文档
    3. 10.3 接收文档更新通知
    4. 10.4 支持资源
    5. 10.5 商标
    6. 10.6 静电放电警告
    7. 10.7 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

8.4.4 电流限制和短路保护

TPSM82850x-Q1 器件可防止过载和短路事件。如果电感器电流超过电流限值 (ILIMH)，高侧 MOSFET 将关断，低侧 MOSFET 将导通，以便降低电感器电流。仅当低侧 MOSFET 中的电流降至低侧电流限值以下时，高侧 MOSFET 才会再次导通。由于内部传播延迟，实际电流可能会超过静态电流限制。以下公式可以给出动态电流限制：

方程式 2. Ipeak=ILIMH+VLL×tPD

其中

  • ILIMH 是电气特性中指定的静态电流限制
  • L 是内部电感器的有效电感（典型值 0.47μH）
  • VL 是电感器两端的电压 (VIN – VOUT)
  • tPD 是内部传播延迟，典型值为 50ns

电流限制可能超过静态值，尤其是在输入电压较高且使用极小电感的情况下。动态高侧开关峰值电流的计算方法如下：

方程式 3. Ipeak=ILIMH+VIN-VOUTL×50ns