ZHCSYY4 September   2025 TPS7A14C

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 出色的瞬态响应
      2. 6.3.2 全局欠压锁定 (UVLO)
      3. 6.3.3 使能输入
      4. 6.3.4 内部折返电流限制
      5. 6.3.5 有源放电
      6. 6.3.6 热关断
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 正常运行
      2. 6.4.2 压降运行
      3. 6.4.3 禁用模式
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
      1. 7.1.1  建议的电容器类型
      2. 7.1.2  输入、输出和偏置电容器要求
      3. 7.1.3  压降电压
      4. 7.1.4  从压差转换为稳压期间的行为
      5. 7.1.5  器件使能时序要求
      6. 7.1.6  负载瞬态响应
      7. 7.1.7  欠压锁定电路运行
      8. 7.1.8  功率耗散 (PD)
      9. 7.1.9  估算结温
      10. 7.1.10 建议的连续运行区域
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 器件支持
      1. 8.1.1 开发支持
      2. 8.1.2 器件命名规则
    2. 8.2 文档支持
      1. 8.2.1 相关文档
    3. 8.3 接收文档更新通知
    4. 8.4 支持资源
    5. 8.5 商标
    6. 8.6 静电放电警告
    7. 8.7 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息
    1. 10.1 机械数据

5.3 建议运行条件

在工作结温范围内测得（另有说明者除外）。(1)
最小值 标称值 最大值 单位
VIN 输入电压  0.7 2.2 V
VBIAS 偏置电压 2.2 或 VOUT(NOM) + 1.4 中的较大值 5.5 V
VOUT 输出电压 0.5 2.0 V
IOUT 峰值输出电流 0 1 A
CIN 输入电容(2) 1 4.7 µF
CBIAS 偏置电容(3) 0.1 0.47 µF
COUT 输出电容(4) 4.7 10 µF
ESL OUT 和 COUT 之间的走线电感 1.5 nH
ESR 输出电容器 ESR + 走线 ESR（新芯片） 11 50 mΩ
TJ 工作结温 -40 125 ℃
(1) 所有电压均以 GND 为基准。
(2) 需要一个输入电容器来抵消源电阻和电感的影响，在某些情况下，这可能会导致系统级别的不稳定症状（例如响铃或振荡），尤其是在存在负载瞬态的情况下。根据源阻抗和系统要求，有时需要更大的输入电容器。 
(3) 不需要 BIAS 输入电容器即可实现 LDO 稳定性。但是，建议使用降额值至少为 0.1µF 的电容器，以保持瞬态、PSRR 和噪声性能。
(4) 该值假设总 ESR（输出电容器 ESR 与 OUT 和输出电容器之间的走线电阻之和）等于或大于 11mΩ。更大的 ESR（不超过此表中指定的最大 ESR 值）需要的输出电容更小。为实现最佳瞬态响应与稳定性能，总 ESR（单位：mΩ）与有效输出电容（单位：µF）的乘积需至少达到 51。