ZHCSYS1A August   2025  – March 2026 ISO6420 , ISO6421

PRODMIX  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1  绝对最大额定值
    2. 6.2  ESD 等级
    3. 6.3  建议运行条件
    4. 6.4  热性能信息
    5. 6.5  功率等级
    6. 6.6  绝缘规格
    7. 6.7  安全相关认证
    8. 6.8  安全限值
    9. 6.9  电气特性 - 5V 电源
    10. 6.10 电源电流特性 - 5V 电源
    11. 6.11 电气特性 - 3.3V 电源
    12. 6.12 电源电流特性 - 3.3V 电源
    13. 6.13 电气特性 - 2.5V 电源 
    14. 6.14 电源电流特性 - 2.5V 电源
    15. 6.15 开关特性 - 5V 电源
    16. 6.16 开关特性 - 3.3V 电源
    17. 6.17 开关特性 - 2.5V 电源
    18. 6.18 绝缘特性曲线
    19. 6.19 典型特性
  8. 7 参数测量信息
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 电磁兼容性 (EMC) 注意事项
    4. 8.4 器件功能模式
    5. 8.5 器件 I/O 原理图
      1. 8.5.1 过压容限输入
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
      3. 9.2.3 应用曲线
    3. 9.3 电源相关建议
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
      2. 9.4.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 文档支持
      1. 10.1.1 相关文档
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 支持资源
    4. 10.4 商标
    5. 10.5 静电放电警告
    6. 10.6 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

4 器件比较

表 4-1 器件比较表
器件名称 总通道数 反向通道 默认输出 封装 爬电距离/间隙 VDE 额定值 UL VISO CMTI
ISO6420DR 2 0 高电平 SOIC (D-8) >4mm 基础型 3000VRMS 180kV/μs（典型值）、最小值为 ±150kV/μs
ISO6420FDR 低电平
ISO6421DR 1 高电平
ISO6421FDR 低电平
ISO6420DWVR 2 0 高电平 宽体 SOIC (DWV-8) >8.5mm 增强型 5000VRMS 250kV/μs（典型值）、最小值为 ±200kV/μs
ISO6420FDWVR 低电平
ISO6421DWVR 1 高电平
ISO6421FDWVR 低电平
ISO6420 ISO6421 器件命名规则 图 4-1 器件命名规则