ZHCSYM9 July   2025 TPD4S201

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级 - JEDEC 规格
    3. 5.3 ESD 等级 - IEC 规格
    4. 5.4 建议运行条件
    5. 5.5 热性能信息
    6. 5.6 电气特性
    7. 5.7 时序要求
    8. 5.8 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 4 通道 VBUS 短路过压保护（CC1、CC2、SBU1、SBU2 引脚或 CC1、CC2、DP、DM 引脚）：可耐受 28VDC 电压
      2. 6.3.2 可处理最高 600mA 电流的 CC1 和 CC2 过压保护 FET 支持 VCONN 电源电流通过
      3. 6.3.3 集成 CC 无电电池电阻器用于处理移动设备中的电池无电用例
    4. 6.4 器件功能模式
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
        1. 7.2.2.1 VBIAS 电容器选型
        2. 7.2.2.2 电池无电运行
        3. 7.2.2.3 CC 线路电容
        4. 7.2.2.4 CC 和 SBU 线路上的额外 ESD 保护
        5. 7.2.2.5 FLT 引脚运行
        6. 7.2.2.6 如何连接未使用的引脚
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 文档支持
      1. 8.1.1 相关文档
    2. 8.2 接收文档更新通知
    3. 8.3 支持资源
    4. 8.4 商标
    5. 8.5 静电放电警告
    6. 8.6 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

5.6 电气特性

在工作结温范围内测得（除非另有说明）
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
CC OVP 开关
RON CC OVP FET 的导通电阻 CCx = 5.5V、TJ ≤ 85℃ 272 420 mΩ
CON_CC 等效导通电容 器件上电时从 CCx 或 C_CCx 到 GND 的电容。在 VC_CCx/VCCx = 0V 至 1.2V、f = 400kHz 时测量。 40 74 120 pF
RD_DB 无电电池下拉电阻器（仅在器件未上电时存在） VC_CCx = 2.6V 4.1 5.1 6.1 kΩ
VTH_DB 在电池无电期间，与 RD 串联的下拉 FET 的阈值电压 IC_CCx = 80μA 0.5 0.9 1.2 V
VOVPCC CC 引脚上的 OVP 阈值 在 C_CCx 上施加 5.5V。升高 C_CCx 上的电压，直到 FLT 引脚置为有效。对 CC FET 施加 100mA 负载，并观察到 FET 关断。 5.6 5.9 6.2 V
VOVPCC_HYS CC OVP 上的迟滞 在 C_CCx 上施加 6.5V。降低 C_CCx 上的
电压，直到 FLT 引脚
置为无效。测量 C_CCx 的
上升和下降 OVP
阈值之间的差值。		 50 mV
BWON 单端导通带宽 (-3dB) 测量从 C_CCx 到 CCx 的
-3dB 带宽。单端
测量，50Ω 系统。Vcm = 0.1V 至 1.2V。		 125 MHz
VSTBUS_CC CC 引脚上的 VBUS 短路容差 使用 1 米 USB
Type C 电缆对 C_CCx 进行热插拔，并在 CCx
上放置 30Ω 负载		 21.5 V
VSTBUS_CC_CLAMP CC 引脚 (CCx) 上的 VBUS 短路系统侧钳位电压 使用 1 米 USB Type C 电缆对 C_CCx
进行热插拔。热插拔电压
C_CCx = 51V。VPWR = 3.3V。
在 CCx 上放置 30Ω 负载。		 7 V
SBU OVP 开关
RON SBU OVP FET 的导通电阻 SBUx = 3.6V。–40°C ≤ TJ ≤ +85°C 4 6.8 Ω
CON_SBU 等效导通电容 器件上电时从 SBUx 或 C_SBUx 到 GND 的电容。在 VC_SBUx/VSBUx = 0.3V 至 4.0V 时测量。 6 pF
VOVPSBU SBU 引脚上的 OVP 阈值 在 C_SBUx 上施加 3.6V。升高 C_SBUx 上的电压，直至 FLT 引脚置为有效。 4.0 4.2 4.41 V
VOVPSBU_HYS SBU OVP 上的迟滞 在 C_CCx 上施加 5V。降低 C_CCx 上的
电压，直到 FLT 引脚
置为无效。测量 C_SBUx 的
上升和下降 OVP
阈值之间的差值。		 50 mV
BWON 单端导通带宽 (-3dB) 测量从 C_SBUx 到 SBUx 的 -3dB 带宽。单端测量，50Ω 系统。Vcm = 0.1V 至 3.6V。 600 760 MHz
XTALK 串扰 在 f = 1MHz 时测量从 SBU1 到 C_SBU2 或从 SBU2 到 C_SBU1 的串扰。Vcm1 = 3.6V、Vcm2 = 0.3V。将开路端连接至 50Ω。 -70 dB
VSTBUS_SBU SBU 引脚上的 VBUS 短路容差 使用 1 米 USB Type-C 电缆对 C_SBUx
进行热插拔。在 SBUx 上，将一个 100nF 电容器与一个
40Ω 电阻器串联并连接到 GND
。		 21.5 V
VSTBUS_SBU_CLAMP SBU 引脚上的 VBUS 短路系统侧钳位电压 (SBUx) 使用 1 米 USB Type-C 电缆对 C_SBUx 进行热插拔。热插拔电压 C_SBUx = 51V。VPWR = 3.3V。在 SBUx 上，将一个 150nF 电容器与一个 40Ω 电阻器串联并连接到 GND。 7 V
电源和漏电流
VPWR_UVLO VPWR 欠压锁定 为 VPWR 施加 1V 电压并升高电压，直到 SBU 或 CC FET 导通。 2.1 2.3 2.6 V
VPWR_UVLO_HYS VPWR UVLO 迟滞 为 VPWR 施加 3V 电压并降低电压，
直到 SBU 或 CC FET 关断；测量
上升和下降 UVLO 之间的差异
以计算迟滞。		 70 100 130 mV
IVPWR VPWR 电源电流 VPWR = 3.3V（典型值），VPWR = 4.5V
（最大值）。–40°C ≤ TJ ≤ +85°C。		 112 160 µA
IC_CC_LEAK 器件上电时 C_CCx 引脚的漏电流 VPWR = 3.3V，VC_CCx = 3.6V，CCx 引脚悬空，测量流入 C_CCx 引脚的漏电流。 5 µA
IC_SBU_LEAK 器件上电时 C_SBUx 引脚的漏电流 VPWR = 3.3V，VC_SBUx = 3.6V，SBUx 引脚悬空，测量流入 C_SBUx 引脚的漏电流。如果 SBUx 侧被偏置且 C_SBUx 保持悬空，结果应相同。-40°C ≤ TJ ≤ +85°C 3.2 µA
IC_CC_LEAK_OVP 器件处于 OVP 时 C_CCx 引脚的漏电流 VPWR = 0V 或 3.3V，VC_CCx = 51V，CCx 引脚设置为 0V，测量流入 C_CCx 引脚的漏电流。 1200 µA
IC_SBU_LEAK_OVP 器件处于 OVP 状态时 C_SBUx 引脚的漏电流 VPWR = 0V 或 3.3V，VC_SBUx = 51V，SBUx 引脚设置为 0V，测量流入 C_SBUx 引脚的漏电流。 720 µA
ICC_LEAK_OVP 器件处于 OVP 状态时 CC 引脚的漏电流 VPWR = 0V 或 3.3V，VC_CCx = 51V，CCx 引脚设置为 0V，测量流出 CCx 引脚的漏电流。 30 µA
ISBU_LEAK_OVP 器件处于 OVP 状态时 SBU 引脚的漏电流 VPWR = 0V，VC_SBUx = 51V，SBUx 引脚设置为 0V，测量流入 SBUx 引脚的漏电流。 -1 1 µA
/FLT 引脚
VOL 低电平输出电压 IOL = 3mA。在 FLT 引脚处测量电压。 0.4 V
过热保护
TSD_RISING 上升过热保护关断阈值 150 175 °C
TSD_FALLING 下降过热保护关断阈值 130 140 °C
TSD_HYST 过热保护关断阈值迟滞 35 °C