ZHCSYM9 July   2025 TPD4S201

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级 - JEDEC 规格
    3. 5.3 ESD 等级 - IEC 规格
    4. 5.4 建议运行条件
    5. 5.5 热性能信息
    6. 5.6 电气特性
    7. 5.7 时序要求
    8. 5.8 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 4 通道 VBUS 短路过压保护(CC1、CC2、SBU1、SBU2 引脚或 CC1、CC2、DP、DM 引脚):可耐受 28VDC 电压
      2. 6.3.2 可处理最高 600mA 电流的 CC1 和 CC2 过压保护 FET 支持 VCONN 电源电流通过
      3. 6.3.3 集成 CC 无电电池电阻器用于处理移动设备中的电池无电用例
    4. 6.4 器件功能模式
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
        1. 7.2.2.1 VBIAS 电容器选型
        2. 7.2.2.2 电池无电运行
        3. 7.2.2.3 CC 线路电容
        4. 7.2.2.4 CC 和 SBU 线路上的额外 ESD 保护
        5. 7.2.2.5 FLT 引脚运行
        6. 7.2.2.6 如何连接未使用的引脚
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 文档支持
      1. 8.1.1 相关文档
    2. 8.2 接收文档更新通知
    3. 8.3 支持资源
    4. 8.4 商标
    5. 8.5 静电放电警告
    6. 8.6 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

布局指南

为了保持 SBU 和 CC 线路信号的完整性,合理的布线和布局非常重要。以下指南适用于 TPD4S201:

  • 将旁路电容器尽可能靠近 VPWR 引脚放置,并将 ESD 保护电容器放尽可能靠近 VBIAS 引脚放置。将电容器连接至实心接地平面,这样可以在 VBUS 短路和 ESD 冲击等瞬态事件期间更大限度地减少电压干扰。
  • SBU 线路尽可能走直线,尽量减少任何明显弯曲。

标准 ESD 建议适用于 C_CC1、C_CC2、C_SBU1 和 C_SBU2:

  • 该器件的最佳位置是尽可能靠近连接器:
    • ESD 事件期间的 EMI 会从受到冲击的布线耦合到附近其他未受保护的布线,从而导致早期系统故障。
    • PCB 设计人员应使任何未受保护的布线远离 TPD4S201 和连接器之间受保护的布线,以更大限度地降低 EMI 耦合的可能性。
  • 受保护的布线应尽可能直线布置。
  • 使用半径尽可能大的圆角,消除 TVS 和连接器之间受保护布线上的任何尖角。
    • 电场往往会积聚在拐角上,从而增加 EMI 耦合。