ZHCSYI4 June   2025 LMG2656

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 开关特性
    7. 5.7 典型特性
  7. 6 参数测量信息
    1. 6.1 GaN 功率 FET 开关参数
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1  GaN 功率 FET 开关能力
      2. 7.3.2  导通压摆率控制
      3. 7.3.3  电流检测仿真
      4. 7.3.4  自举二极管功能
      5. 7.3.5  输入控制引脚（EN、INL、INH、GDH）
      6. 7.3.6  INL - INH 互锁
      7. 7.3.7  AUX 电源引脚
        1. 7.3.7.1 AUX 上电复位
        2. 7.3.7.2 AUX 欠压锁定 (UVLO)
      8. 7.3.8  BST 电源引脚
        1. 7.3.8.1 BST 上电复位
        2. 7.3.8.2 BST 欠压锁定 (UVLO)
      9. 7.3.9  过流保护
      10. 7.3.10 过热保护
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 LLC 应用
        1. 8.2.1.1 设计要求
        2. 8.2.1.2 详细设计过程
        3. 8.2.1.3 应用曲线
      2. 8.2.2 AHB 应用
      3. 8.2.3 电机驱动器应用
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
        1. 8.4.1.1 焊点应力消除
        2. 8.4.1.2 信号接地连接
        3. 8.4.1.3 CS 引脚信号
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 接收文档更新通知
    2. 9.2 支持资源
    3. 9.3 商标
    4. 9.4 静电放电警告
    5. 9.5 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

3 说明

LMG2656 是一款 650V 230mΩ GaN 功率 FET 半桥。LMG2656 通过在 6mm x 8mm QFN 封装中集成半桥功率 FET、栅极驱动器、自举 FET 和高侧栅极驱动电平转换器，可简化设计、减少元件数量并缩减布板空间。

可编程导通压摆率可实现 EMI 和振铃控制。与传统的电流检测电阻相比，低侧电流检测仿真可降低功耗，并允许将低侧散热焊盘连接到 PCB 电源地。

高侧 GaN 功率 FET 可通过低侧参考栅极驱动引脚 (INH) 或高侧参考栅极驱动引脚 (GDH) 进行控制。在具有挑战性的电源开关环境中，高侧栅极驱动信号电平转换器能够可靠地将 INH 引脚信号传输到高侧栅极驱动器。智能开关 GaN 自举 FET 没有二极管正向压降，可避免高侧电源过充，并且反向恢复电荷为零。

LMG2656 具有低静态电流和快速启动时间，可满足转换器轻负载效率要求，并实现突发模式运行。保护特性包括 FET 导通互锁、欠压锁定 (UVLO)、逐周期电流限制和过热关断。超低压摆率设置支持电机驱动应用。

封装信息
器件型号封装(1)封装尺寸(2)
LMG2656RFB（VQFN，19）8.00mm × 6.00mm
(1) 有关更多信息，请参阅 节 11。
(2) 封装尺寸（长 × 宽）为标称值，并包括引脚（如适用）。



LMG2656 封装视图封装视图