ZHCSYF0 June 2025 TPS51375H
PRODUCTION DATA
| 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 电源电流 | ||||||
| VIN | 输入电压范围 | 4.5 | 24 | V | ||
| IVIN | 非开关电源电流 | 无负载,VEN = 5V,非开关 | 270 | μA | ||
| IVINSDN | 关断电源电流 | 无负载,VEN = 0V | 3 | μA | ||
| VCC 输出 | ||||||
| VCC | VCC 输出电压 | VIN > 5.2V,IVCC ≤ 1mA,旁路开关关断 | 4.6 | 4.9 | 5.2 | V |
| 反馈电压 | ||||||
| VFB | 反馈调节电压 | TJ = 25°C | 594 | 600 | 606 | mV |
| TJ = -40°C 至 125°C | 591 | 600 | 609 | mV | ||
| 占空比和频率控制 | ||||||
| FSW | 开关频率 | CCM 运行,TPS51375H | 600 | kHz | ||
| tON(MIN) | SW 最短导通时间(1) | 60 | ns | |||
| tOFF(MIN) | SW 最短关断时间(1) |
130 | ns | |||
| MOSFET 和驱动器 | ||||||
| RDS(ON)H | 高侧开关电阻 | TJ = 25°C | 10 | mΩ | ||
| RDS(ON)L | 低侧开关电阻 | TJ = 25°C | 5 | mΩ | ||
| 输出放电和软启动 | ||||||
| RDIS | 放电电阻 | VEN = 0V | 50 | Ω | ||
| tSS | 软启动时间 | 内部软启动时间 | 1 | ms | ||
| 电源正常 | ||||||
| tPGDLY | PG 延迟上升 | PG 从低到高 | 160 | us | ||
| PG 延迟下降 | PG 从高电平到低电平 | 30 | us | |||
| VPGTH | PG 阈值 | VFB 下降(故障) | 83 | % | ||
| VFB 上升(正常) | 90 | % | ||||
| VFB 上升(故障) | 120 | % | ||||
| VFB 下降(正常) | 115 | % | ||||
| VPG_L | PG 灌电流能力 | IOL = 4mA | 0.4 | V | ||
| IPGLK | PG 漏电流 | VPGOOD = 5.5V | 1 | μA | ||
| 电流限值 | ||||||
| IOCL | 过流阈值(谷值) | LS FET 上的谷值电流限值,TJ = 25°C | 27 | 29 | 31 | A |
| IOCL | 过流阈值(谷值) | LS FET 上的谷值电流限值,TJ = 25°C 至 125°C | 25.5 | 29 | 33 | A |
| 逻辑阈值 | ||||||
| VENH | EN 高电平输入电压 | TJ = 25°C | 1 | V | ||
| VENL | EN 低电平输入电压 | TJ = 25°C | 0.4 | V | ||
| IEN | 启用内部下拉电流 | VEN = 0.3V | 2 | µA | ||
| 输出欠压和过压保护 | ||||||
| VOVP | OVP 跳变阈值 | 120 | % | |||
| tOVPDLY | OVP 传播抗尖峰脉冲 | 256 | us | |||
| VUVP | UVP 跳变阈值 | 60 | % | |||
| tUVPDLY | UVP 传播抗尖峰脉冲 | 200 | us | |||
| UVLO | ||||||
| VUVLO | VIN UVLO 阈值 | 唤醒 | 4.25 | 4.45 | V | |
| 关断 | 3.4 | 3.6 | V | |||
| 迟滞 | 0.65 | V | ||||
| 过热保护 | ||||||
| TOTP | OTP 跳变阈值(1) | 关断温度 | 160 | °C | ||
| TOTPHSY | OTP 迟滞(1) | 迟滞 | 20 | °C | ||