ZHCSYD7 May   2025 UCC218200-Q1

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 1特性
  3. 2应用
  4. 3说明
  5. 4器件和文档支持
    1. 4.1 第三方产品免责声明
    2. 4.2 文档支持
      1. 4.2.1 相关文档
    3. 4.3 接收文档更新通知
    4. 4.4 支持资源
    5. 4.5 商标
    6. 4.6 静电放电警告
    7. 4.7 术语表
  6. 5修订历史记录
  7. 6机械、封装和可订购信息
    1. 6.1 机械数据

说明

UCC218200-Q1 是一款电隔离单通道栅极驱动器,设计用于直流工作电压高达 1500V 的 SiC MOSFET 和 IGBT,具有先进的保护功能、出色的动态性能和稳健性。UCC218200-Q1 具有高达 ±15A 的峰值拉电流和灌电流。

输入侧通过 SiO2 隔离技术与输出侧相隔离,支持高达 1.06kVRMS 的工作电压、10kVPK 的浪涌抗扰度,隔离层寿命超过 40 年,并提供较低的器件间偏移,共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于 200V/ns。

UCC218200-Q1 包含先进的保护特性,如快速过流和短路检测、故障后的受控软关断、故障报告、有源米勒钳位、输入和输出侧电源 UVLO (用于优化 SiC 和 IGBT 开关行为和稳健性)、初级侧和次级侧的主动短路输入输出电压栅极监控以及启动期间的内置自检。

封装信息
器件型号 封装(1) 本体尺寸(标称值)
UCC218200B-Q1 DFP (SSOP 20) 5.6mm × 7.5mm
有关所有可用封装,请参阅节 6
UCC218200-Q1 器件引脚配置器件引脚配置