ZHCSYB5A May   2025  – July 2025 TPS7B4258-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息 
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 跟踪器输出电压 (VOUT)
        1. 6.3.1.1 输出电压等于参考电压
        2. 6.3.1.2 输出电压小于参考电压
        3. 6.3.1.3 输出电压大于参考电压
      2. 6.3.2 反向电流保护
      3. 6.3.3 欠压锁定
      4. 6.3.4 热保护
      5. 6.3.5 电流限值
      6. 6.3.6 输出对电池短路
      7. 6.3.7 具有使能电路的跟踪稳压器
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 正常运行
      2. 6.4.2 压降运行
      3. 6.4.3 在 VIN < 3.3V 的情况下运行
      4. 6.4.4 通过 ADJ/EN 控制禁用
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
      1. 7.1.1 压降电压
      2. 7.1.2 反向电流
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
        1. 7.2.2.1 输入和输出电容器选择
        2. 7.2.2.2 反馈电阻器选型
        3. 7.2.2.3 前馈电容器
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
        1. 7.4.1.1 封装
        2. 7.4.1.2 对于改进 PSRR 和噪声性能的电路板布局布线建议
        3. 7.4.1.3 功率耗散和热效应注意事项
        4. 7.4.1.4 热性能与铜面积
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 器件支持
      1. 8.1.1 器件命名规则
    2. 8.2 文档支持
      1. 8.2.1 相关文档
    3. 8.3 接收文档更新通知
    4. 8.4 支持资源
    5. 8.5 商标
    6. 8.6 静电放电警告
    7. 8.7 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

6.3.2 反向电流保护

TPS7B4258-Q1 采用背对背 PMOS 拓扑。这种拓扑结构可保护器件免受 VOUT 高于 VIN 的故障情况影响，并阻止反向电流流动。如果发生该故障状况，器件不会受到损坏、前提是未违反 绝对最大额定值。这种集成保护功能消除了对外部二极管的需求。反向电流比较器通常在 10μs 内堆反向电压情况做出响应。比较器与阻断型 PMOS 晶体管的体二极管一起将反向电流限制在 1.2µA 以下。电气特性 表中详细说明了 IREV。