ZHCSY90A May   2025  – March 2026 TPS7H6101-SEP

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件选项表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 开关特性
    7. 6.7 典型特性
  8. 7 参数测量信息
    1. 7.1 时序测量
    2. 7.2 死区时间测量信息
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1  栅极驱动器输入电压
      2. 8.3.2  线性稳压器运行
      3. 8.3.3  自举运行
        1. 8.3.3.1 自举充电方法
          1. 8.3.3.1.1 内部自举充电
          2. 8.3.3.1.2 直接 VIN 自举充电
          3. 8.3.3.1.3 双自举充电
          4. 8.3.3.1.4 双开关公共接地基准
        2. 8.3.3.2 自举电容器
        3. 8.3.3.3 自举二极管
        4. 8.3.3.4 自举电阻
      4. 8.3.4  高侧驱动器启动
      5. 8.3.5  PWM_LI 和 EN_HI
      6. 8.3.6  死区时间
      7. 8.3.7  输入互锁保护
      8. 8.3.8  欠压锁定和电源正常 (PGOOD)
      9. 8.3.9  开关节点负电压瞬变
      10. 8.3.10 电平转换器
    4. 8.4 器件功能模式
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
        1. 9.2.2.1 自举电容器和旁路电容器
          1. 9.2.2.1.1 自举电容器
          2. 9.2.2.1.2 输入电容
          3. 9.2.2.1.3 内部稳压器电容器
        2. 9.2.2.2 自举二极管
      3. 9.2.3 应用结果
      4. 9.2.4 双脉冲特性
        1. 9.2.4.1 双脉冲测试测量
        2. 9.2.4.2 双脉冲测试结果
      5. 9.2.5 热特性
        1. 9.2.5.1 Foster RC 热模型
        2. 9.2.5.2 应用 Foster 热网络
    3. 9.3 电源相关建议
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
        1. 9.4.1.1 散热过孔
        2. 9.4.1.2 HVIN 平面
        3. 9.4.1.3 阻焊层限定焊盘
      2. 9.4.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 文档支持
      1. 10.1.1 相关文档
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 支持资源
    4. 10.4 商标
    5. 10.5 静电放电警告
    6. 10.6 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

3 说明

TPS7H6101 是一款集成了栅极驱动器的抗辐射 200V e 模式 GaN 功率 FET 半桥。集成 e 模式 GaN FET 和栅极驱动器可简化设计、减少元件数量并减小布板空间。支持半桥和两个独立开关拓扑、可配置死区时间和可配置击穿互锁保护，有助于为各种应用和实现提供支持。

封装信息
器件型号(1)(2) 等级 封装尺寸(3)
TPS7H6101MNPRTSEPM SEP NPR (LGA, 64)
12.00mm × 9.00mm
质量 = 264mg
(1) 有关更多信息，请参阅器件选项表。
(2) 有关更多信息，请参阅机械、封装和可订购信息。
(3) 尺寸和质量值为标称值。
TPS7H6101-SEP 典型应用电路典型应用电路
TPS7H6101-SEP