ZHCSY81A May   2025  – October 2025 INA745A-Q1 , INA745B-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 时序要求 (I2C)
    7. 5.7 时序图
    8. 5.8 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 集成型分流电阻器
      2. 6.3.2 安全工作区
      3. 6.3.3 多功能测量能力
      4. 6.3.4 内部测量和计算引擎
      5. 6.3.5 高精度 Δ-Σ ADC
        1. 6.3.5.1 低延迟数字滤波器
        2. 6.3.5.2 灵活的转换时间和均值计算
      6. 6.3.6 集成精密振荡器
      7. 6.3.7 多警报监控和故障检测
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 关断模式
      2. 6.4.2 上电复位
    5. 6.5 编程
      1. 6.5.1 I2C 串行接口
        1. 6.5.1.1 通过 I2C 串行接口写入和读取
        2. 6.5.1.2 高速 I2C 模式
        3. 6.5.1.3 SMBus 警报响应
  8. 7 寄存器映射
    1. 7.1 INA745x-Q1 寄存器
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
      1. 8.1.1 器件测量范围和分辨率
      2. 8.1.2 ADC 输出数据速率和噪声性能
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 配置器件
        2. 8.2.2.2 设置所需的故障阈值
        3. 8.2.2.3 计算返回值
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

5.5 电气特性

TA = 25°C，VS = 3.3V，ISENSE = 0A，VCM = VIN– = VBUS = 12V（除非另有说明）
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
输入
CMRR 共模抑制 –0.1V < VCM < 40V，
TA = –40°C 至 +125°C		 A 器件 ±25 ±60 µA/V
B 器件 ±0.5 ±1.25 mA/V
Ios 输入失调电流 TCT > 280µs A 器件 ±0.9 ±6.25 mA
B 器件 ±7.5 ±62.5 mA
dVos/dT 输入失调电流漂移 TA = -40°C 至 +125°C ±5 ±30 µA/°C
PSRR 输入失调电流与电源间的关系 VS = 2.7V 至 5.5V，TA = -40°C 至 +125°C ±0.1 ±4 mA/V
Vos_bus VBUS 失调电压 VBUS = 20mV ±2 ±5 mV
dVos/dT VBUS 失调电压偏移 TA = -40°C 至 +125°C A 器件 ±8 ±40 µV/°C
B 器件 ±20 ±100 µV/°C
PSRR VBUS 失调电压与电源间的关系 VS = 2.7V 至 5.5V ±1.1 ±4 mV/V
直流精度
GSERR 系统电流检测增益误差 ISENSE = –25A 至 +25A，VCM = 12V A 器件 ±0.1 ±0.75 %
B 器件 ±0.1 ±1.25 %
GS_DRFT 系统电流检测增益误差漂移 –40°C ≤ TA ≤ 125°C ±75 ppm/°C
GBERR VBUS 电压增益误差 VBUS = 0V 至 40V A 器件 ±0.01 ±0.075 %
VBUS = 0V 至 40V，
–40°C ≤ TA ≤ 125°C		 ±0.01 ±0.35 %
VBUS = 0V 至 40V B 器件 ±0.01 ±0.3 %
VBUS = 0V 至 40V，
–40°C ≤ TA ≤ 125°C		 ±0.01 ±0.8 %
GB_DRFT VBUS 电压增益误差偏移 –40°C ≤ TA ≤ 125°C A 器件 ±25 ppm/°C
B 器件 ±50 ppm/°C
ZBUS VBUS 引脚输入阻抗  通过有效转换启用器件 1 MΩ
PTME 功率总测量误差 (TME) TA = 25°C（满量程下） A 器件 ±0.9 %
B 器件 ±1.6 %
ETME 电能和电荷 TME TA = 25°C（满量程功率下） A 器件 ±1.4 %
B 器件 ±2.1 %
ADC 分辨率 16 位
1 个最低有效位 (LSB) 阶跃幅度 电流 1.2 mA
总线电压 3.125 mV
温度 125 m°C
电源 240 µW
电能 3.84 mJ
电荷 75 µC
TCT ADC 转换时间(1) 转换时间字段 = 0h  50 µs
转换时间字段 = 1h  84
转换时间字段 = 2h  150
转换时间字段 = 3h  280
转换时间字段 = 4h  540
转换时间字段 = 5h 1052
转换时间字段 = 6h 2074
转换时间字段 = 7h  4120
INL 积分非线性 总线电压测量 ±2 m%
DNL 微分非线性 总线电压测量 0.2 LSB
时钟源
FOSC 内部振荡器频率 1 MHz
OSCTOL 内部振荡器频率容限 TA = 25°C ±0.5 %
TA = -40°C 至 +125°C ±1 %
温度传感器
测量范围 -40 +150 °C
温度精度 TA = 25°C ±0.15 ±1.5 °C
TA= –40°C 至 +125°C ±0.2 ±2.5 °C
集成分流器
内部开尔文电阻 SH+ 至 SH–，TA = 25°C 800 µΩ
引脚对引脚封装电阻 IS+ 至 IS–，TA = 25°C 700 900 1300 µΩ
最大持续电流 –40°C ≤ TA ≤ 125°C ±25 A
短路时间过载变化(2) ISENSE = 50A 并持续 5 秒 ±0.003 %
因温度循环而变化 –65°C ≤ TA ≤ 150°C，500 个周期 ±0.05 %
焊接热导致的电阻变化 260°C 焊料，10s ±0.1 %
高温暴露变化 1000 小时，TA = 150°C ±0.015 %
电源
VS 电源电压 2.7 5.5 V
VPOR POR 电压电平 电源上升 1.26 V
IQ 静态电流 ISENSE = 0V 640 750 µA
ISENSE = 0V，TA = –40°C 至 +125°C 1 mA
IQSD 静态电流，关断 关断模式 2.8 5 µA
TPOR 器件启动时间 加电 (NPOR) 300 µs
从关断模式 60
数字输入/输出
VIH 逻辑输入电平，高 SDA、SCL 1.2 5.5 V
VIL 逻辑输入电平，低 GND 0.4 V
VOL 逻辑输出电平，低 IOL = 3mA GND 0.4 V
IIO_LEAK 数字泄漏输入电流 0 ≤ VIN ≤ VS -1 1 µA
(1) 取决于振荡器精度和偏移
(2) 在器件 EVM 上进行了测试，请参阅节 6.3.2。