ZHCSY44A March   2025  – June 2025 DLP991UUV

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 引脚配置和功能
  6. 规格
    1. 5.1  绝对最大额定值
    2. 5.2  存储条件
    3. 5.3  ESD 等级
    4. 5.4  建议运行条件
    5. 5.5  热性能信息
    6. 5.6  电气特性
    7. 5.7  开关特性
    8. 5.8  时序要求
    9. 5.9  系统安装接口负载
    10. 5.10 微镜阵列物理特性
    11. 5.11 微镜阵列光学特性
    12. 5.12 窗口特性
    13. 5.13 芯片组元件使用规格
  7. 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 电源接口
      2. 6.3.2 时序
    4. 6.4 器件功能模式
    5. 6.5 光学接口和系统图像质量注意事项
      1. 6.5.1 数字光圈和杂散光控制
      2. 6.5.2 光瞳匹配
      3. 6.5.3 照明溢出
    6. 6.6 DMD 温度计算
      1. 6.6.1 关闭状态热差 (TDELTA_MIN)
      2. 6.6.2 打开状态热差 (TDELTA_MAX)
    7. 6.7 微镜功率密度计算
    8. 6.8 微镜着陆打开/着陆关闭占空比
      1. 6.8.1 微镜着陆开/着陆关占空比的定义
      2. 6.8.2 DMD 的着陆占空比和使用寿命
      3. 6.8.3 估算产品或应用的长期平均着陆占空比
  8. 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
    3. 7.3 DMD 内核温度检测
  9. 电源相关建议
    1. 8.1 DMD 电源上电过程
    2. 8.2 DMD 电源断电过程
  10. 布局
    1. 9.1 布局指南
      1. 9.1.1 PCB 设计标准
      2. 9.1.2 常规 PCB 布线
        1. 9.1.2.1 布线阻抗和布线优先级
        2. 9.1.2.2 PCB 层堆叠示例
        3. 9.1.2.3 布线宽度、间距
        4. 9.1.2.4 电源和接地平面
        5. 9.1.2.5 布线长度匹配
          1. 9.1.2.5.1 HSSI 输入总线偏移
          2. 9.1.2.5.2 其他时序关键型信号
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 器件支持
      1. 10.1.1 器件命名规则
      2. 10.1.2 器件标识
    2. 10.2 文档支持
      1. 10.2.1 相关文档
    3. 10.3 接收文档更新通知
    4. 10.4 支持资源
    5. 10.5 商标
    6. 10.6 静电放电警告
    7. 10.7 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息
    1. 12.1 封装选项附录

微镜功率密度计算

在计算不同波长带内 DMD 上的照明光功率密度时,会使用在 DMD 上测量的总光功率、照明溢出百分比、有源阵列面积以及所需波长带内的光谱与总光谱光功率的比率。

  • ILLUV7 = [OPUV-RATIO × QINCIDENT] × 1000 (mW/W) ÷ AILL (mW/cm2)
  • ILLUV6 = [OPVIS-RATIO × QINCIDENT] ÷ AILL (W/cm2)
  • ILLUV5 = [OPVIS-RATIO × QINCIDENT] ÷ AILL (W/cm2)
  • ILLUV4 = [OPVIS-RATIO × QINCIDENT] ÷ AILL (W/cm2)
  • ILLUV3 = [OPVIS-RATIO × QINCIDENT] ÷ AILL (W/cm2)
  • ILLUV2 = [OPIR-RATIO × QINCIDENT] ÷ AILL (W/cm2)
  • ILLUV1 = [OPIR-RATIO × QINCIDENT] ÷ AILL (W/cm2)
  • ILLUV = [OPIR-RATIO × QINCIDENT] ÷ AILL (W/cm2)
  • ILLVIS = [OPBLU1-RATIO × QINCIDENT] ÷ AILL (W/cm2)
  • AILL = AARRAY ÷ (1 – OVILL) (cm2)

其中:

  • ILLUV7 = DMD 上的 UV7 照明功率密度 (mW/cm2)
  • ILLUV6 = DMD 上的 UV6 照明功率密度 (W/cm2)
  • ILLUV5 = DMD 上的 UV5 照明功率密度 (W/cm2)
  • ILLUV4 = DMD 上的 UV4 照明功率密度 (W/cm2)
  • ILLUV3 = DMD 上的 UV3 照明功率密度 (W/cm2)
  • ILLUV2 = DMD 上的 UV2 照明功率密度 (W/cm2)
  • ILLUV1 = DMD 上的 UV1 照明功率密度 (W/cm2)
  • ILLUV = DMD 上的 UV 照明功率密度 (W/cm2)
  • ILLVIS = DMD 上的 VIS 照明功率密度 (W/cm2)
  • AILL = DMD 上的照明面积 (cm2)
  • QINCIDENT = DMD 上的总入射光功率 (W)(测量值)
  • AARRAY = 阵列面积 (cm2)(数据表)
  • OVILL = 阵列外部 DMD 上总照度的百分比 (%)(光学模型)
  • OPUV7-RATIO = 波长 < 341nm 的光功率与照明光谱中总光功率的比率(光谱测量)
  • OPUV6-RATIO = 波长 ≥ 343nm 且 < 345nm 的光功率与照明光谱中总光功率的比率(光谱测量)
  • OPUV5-RATIO = 波长 ≥ 345nm 且 < 355nm 的光功率与照明光谱中总光功率的比率(光谱测量)
  • OPUV4-RATIO = 波长 ≥ 355nm 且 < 365nm 的光功率与照明光谱中总光功率的比率(光谱测量)
  • OPUV3-RATIO = 波长 ≥ 365nm 且 < 385nm 的光功率与照明光谱中总光功率的比率(光谱测量)
  • OPUV2-RATIO = 波长 ≥ 385nm 且 < 400nm 的光功率与照明光谱中总光功率的比率(光谱测量)
  • OPUV1-RATIO = 波长 ≥ 400nm 且 < 410nm 的光功率与照明光谱中总光功率的比率(光谱测量)
  • OPUV-RATIO = 波长 ≥365nm 且 < 410nm 的光功率与照明光谱中总光功率的比率(光谱测量)
  • OPVIS-RATIO = 波长 ≥410nm 且 < 800nm 的光功率与照明光谱中总光功率的比率(光谱测量)

照明面积因照明溢出而异。DMD 上的总照明面积包括阵列面积和阵列周围的溢出面积。光学模型用于确定阵列外部 DMD 上总照度的百分比 (OVILL) 和有源阵列上总照度的百分比。根据这些值计算出照明面积 (AILL)。假设整个阵列上的照明是均匀的。

根据测量到的照明光谱,计算出相关波长带内的光功率与总光功率的比率。

计算示例 - 照明 365nm 至 410nm

QINCIDENT = 33.5W (measured)
AARRAY = (22.1184mm × 11.7504mm) ÷ 100 (mm/cm) = 2.599cm2 (data sheet)
OVILL = 9% (optical model)
OPUV3-RATIO = 0.49962 (spectral measurement)
OPUV2-RATIO = 0.49962 (spectral measurement)
OPUV1-RATIO = 0.00076 (spectral measurement)
AILL = 2.599cm2 ÷ (1 – 0.09) = 2.8560cm2
ILLUV = [1.0 × 33.5W] ÷ 2.8560cm2 = 11.730W/cm2
ILLUV3 = [0.49962 × 33.5W] ÷ 2.8560cm2 = 5.860W/cm2
ILLUV2 = [0.49962 × 33.5W] ÷ 2.8560cm2 = 5.860W/cm2
ILLUV1 = [0.00076 × 33.5W] ÷ 2.8560cm2 = 0.009W/cm2