ZHCSY02A March   2025  – December 2025 DRV8001-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级 - 汽车
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息 RHA 封装
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 时序要求
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 外部组件
    4. 7.4 特性说明
      1. 7.4.1 加热器 MOSFET 驱动器
        1. 7.4.1.1 加热器 MOSFET 驱动器控制
        2. 7.4.1.2 加热器 MOSFET 驱动器保护
          1. 7.4.1.2.1 加热器 SH_HS 内部二极管
          2. 7.4.1.2.2 加热器 MOSFET VDS 过流保护 (HEAT_VDS)
          3. 7.4.1.2.3 加热器 MOSFET 开路负载检测
      2. 7.4.2 高侧驱动器
        1. 7.4.2.1 高侧驱动器控制
          1. 7.4.2.1.1 高侧驱动器 PWM 发生器
          2. 7.4.2.1.2 恒流模式
          3. 7.4.2.1.3 OUTx HS ITRIP 行为
          4. 7.4.2.1.4 高侧驱动器 - 并行输出
        2. 7.4.2.2 高侧驱动器保护电路
          1. 7.4.2.2.1 高侧驱动器内部二极管
          2. 7.4.2.2.2 高侧驱动器短路保护
          3. 7.4.2.2.3 高侧驱动器过流保护
          4. 7.4.2.2.4 高侧驱动器开路负载检测
      3. 7.4.3 电致变色玻璃驱动器
        1. 7.4.3.1 电致变色驱动器控制
        2. 7.4.3.2 电致变色驱动器保护
      4. 7.4.4 半桥驱动器
        1. 7.4.4.1 半桥控制
        2. 7.4.4.2 OUT1 和 OUT2 高侧驱动器模式
        3. 7.4.4.3 半桥寄存器控制
        4. 7.4.4.4 半桥 ITRIP 调节
        5. 7.4.4.5 半桥保护和诊断
          1. 7.4.4.5.1 半桥关断状态诊断 (OLP)
          2. 7.4.4.5.2 半桥开路负载检测
          3. 7.4.4.5.3 半桥过流保护
      5. 7.4.5 检测输出 (IPROPI)
      6. 7.4.6 保护电路
        1. 7.4.6.1 故障复位 (CLR_FLT)
        2. 7.4.6.2 DVDD 逻辑电源上电复位 (DVDD_POR)
        3. 7.4.6.3 PVDD 电源欠压监测器 (PVDD_UV)
        4. 7.4.6.4 PVDD 电源过压监测器 (PVDD_OV)
        5. 7.4.6.5 VCP 电荷泵欠压锁定 (VCP_UV)
        6. 7.4.6.6 热仪表组
        7. 7.4.6.7 看门狗计时器
        8. 7.4.6.8 故障检测和响应汇总表
    5. 7.5 编程
      1. 7.5.1 串行外设接口 (SPI)
      2. 7.5.2 SPI 格式
      3. 7.5.3 时序图
  9. 8  DRV8001-Q1 寄存器映射
    1. 8.1 DRV8000-Q1_STATUS 寄存器
    2. 8.2 DRV8000-Q1_CNFG 寄存器
    3. 8.3 DRV8000-Q1_CTRL 寄存器
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
    3. 9.3 初始化设置
    4. 9.4 电源相关建议
      1. 9.4.1 确定大容量电容器的大小
    5. 9.5 布局
      1. 9.5.1 布局指南
      2. 9.5.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 接收文档更新通知
    2. 10.2 支持资源
    3. 10.3 商标
    4. 10.4 静电放电警告
    5. 10.5 术语表
  12. 11机械、封装和可订购信息

7.4.4.1 半桥控制

半桥驱动器可以在两种模式下进行控制，以支持通过 PWM 输入引脚或 SPI 寄存器控制的控制方案。半桥驱动器还具有配置寄存器（HB_OUT_CNFG1 和 HB_OUT_CNFG2），用于使能半桥控制并设置控制模式（PWM 或 SPI）。

半桥可配置为由来自 PWM1 或 PWM2 引脚的输入信号进行控制。输入到 PWM1 引脚的信号可以在内部多路复用到半桥、高侧驱动器和加热器驱动器。来自 PWM2 引脚的 PWM2 控制仅适用于半桥。每个半桥驱动器的压摆率都可以在 HB_SR_CNFG 中配置。

下面显示了配置表。请注意，OUT5 和 OUT6 在 HB_OUT_CNFG1 中配置，OUT1 至 OUT4 在 HB_OUT_CNFG2 中配置：

表 7-22 OUTX_CNFG 半桥配置：
OUTX_CNFG[2] OUTX_CNFG[1] OUTX_CNFG[0] OUTx HS 导通 LS 导通
0 0 0 关闭 关闭 关闭
0 0 1 SPI 寄存器控制 OUTX_CTRL OUTX_CTRL
0 1 0 PWM 1 互补控制 ~PWM1 PWM1
0 1 1 PWM 1 LS 控制 关闭 PWM1
1 0 0 PWM 1 HS 控制 PWM1 关闭
1 0 1 PWM 2 互补控制 ~PWM2 PWM2
1 1 0 PWM 2 LS 控制 关闭 PWM2
1 1 1 PWM 2 HS 控制 PWM2 关闭

当半桥配置为 SPI 寄存器控制 (OUTx_CNFG = 01b) 时，半桥高侧和低侧 MOSFET 可以在寄存器 HB_CTRL 中通过位 OUTx_CTRL 单独控制。半桥输出的控制真值表如下所示：

表 7-23 半桥驱动器控制
OUTx_CTRL (OUT1-6) 位 配置 说明
00 关闭 半桥控制关闭
01 HS 导通 高侧 MOSFET 导通
10 LS 导通 低侧 MOSFET 导通
11 RSVD 保留。

只要 SPI 通信可用，就可以通过写入这些位来更改半桥控制模式。此更改会立即反映出来。

当半桥配置为 PWM 运行（OUTx_CNFG = 01xb、10xb 或 11xb）时，输入可接受用于 100% 或 PWM 驱动模式的静态或脉宽调制 (PWM) 电压信号。

在开关半桥上的高侧和低侧 FET 之间转换时，该器件会自动生成所需的死区时间。该时序基于内部 FET 栅源电压。无需外部时序。该方案提供最短的死区时间，同时防止击穿电流。