ZHCSXZ8B March   2000  – March 2025 TPIC6B596

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 功耗等级表
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 电气特性
    5. 5.5 开关特性
    6. 5.6 热阻
    7. 5.7 典型特性
  7. 6 参数测量信息
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 参考
      1. 7.3.1 参考
      2. 7.3.2 清除寄存器
      3. 7.3.3 输出控制
      4. 7.3.4 级联应用
      5. 7.3.5 电流限制功能
  9. 8 器件功能模式
    1. 8.1 在 Vcc < 4.5V 条件下运行
    2. 8.2 在 5.5V ≤ Vcc ≤ 7V 条件下运行
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

3 说明

TPIC6B596 是一款单片、高压、中等电流功率 8 位移位寄存器，专为负载功率要求相对较高的系统而设计。该器件包含内置的输出钳位电压，用于提供电感瞬态保护。电源驱动器应用包括继电器、螺线管和其他中等电流或高压负载。

该器件包含一个可对 8 位 D 类存储寄存器进行馈送的 8 位串行输入、并行输出移位寄存器。移位和存储寄存器之间的数据传输分别在移位寄存器时钟 (SRCK) 和寄存器时钟 (RCK) 的上升沿上发生。当移位寄存器清零 (SRCLR) 为高电平时，存储寄存器将数据传输到输出缓冲器。只有当 RCK 为低电平时，写入数据和读取数据才有效。当 SRCLR 为低电平时，器件中的所有寄存器都将清零。当输出使能 (G) 保持高电平时，输出缓冲器中的所有数据将保持低电平，并且所有漏极输出将关闭。当 G 保持低电平时，来自存储寄存器中的数据对输出缓冲器透明。当输出缓冲器中的数据较低时，DMOS 晶体管的输出被关闭。当数据较高时，DMOS 晶体管输出具有灌电流能力。串行输出 (SER OUT) 在 SRCK 下降沿时从器件时钟输出，为级联应用提供额外的保持时间。这将为时钟信号有可能偏移、器件相距较远或系统必须容许电磁干扰的应用提供更佳的性能。

输出为低侧、漏极开路 DMOS 晶体管，额定输出功率为 50V，连续灌电流能力为 150mA。在 TC = 25°C 时，每个输出可提供 500mA 的典型电流限。电流限制会随着结温的升高而降低，以实现额外的器件保护。

TPIC6B596 具有 -40°C 至 125°C 的额定管壳工作温度范围。

表 3-1 器件信息
部件号 封装 封装尺寸（标称值）
TPIC6A595 PDIP(20) 25.4mm × 6.35mm
SOIC(20) 12.80mm × 7.50mm
TPIC6B596 逻辑符号
A. † 此符号符合 ANSI/IEEE 标准 91-1984 和 IEC 出版物 617-12 要求。
逻辑符号