ZHCSXV5 January   2025 LMG2652

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 开关特性
    7. 5.7 典型特性
  7. 6 参数测量信息
    1. 6.1 GaN 功率 FET 开关参数
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 GaN 功率 FET 开关能力
      2. 7.3.2 电流检测仿真
      3. 7.3.3 自举二极管功能
      4. 7.3.4 输入控制引脚（EN、INL、INH、GDH）
      5. 7.3.5 INL - INH 互锁
      6. 7.3.6 AUX 电源引脚
        1. 7.3.6.1 AUX 上电复位
        2. 7.3.6.2 AUX 欠压锁定 (UVLO)
      7. 7.3.7 BST 电源引脚
        1. 7.3.7.1 BST 上电复位
        2. 7.3.7.2 BST 欠压锁定 (UVLO)
      8. 7.3.8 过流保护
      9. 7.3.9 过热保护
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 LLC 应用
        1. 8.2.1.1 设计要求
        2. 8.2.1.2 详细设计过程
        3. 8.2.1.3 应用曲线
      2. 8.2.2 AHB 应用
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
        1. 8.4.1.1 焊点应力消除
        2. 8.4.1.2 信号接地连接
        3. 8.4.1.3 CS 引脚信号
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 接收文档更新通知
    2. 9.2 支持资源
    3. 9.3 商标
    4. 9.4 静电放电警告
    5. 9.5 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

5.5 电气特性

1) 符号定义：VDS(ls) = SW 至 SL 电压；IDS(ls) = SW 至 SL 电流；VDS(hs) = DH 至 SW 电压；ID(hs) = DH 至 SW 电流；ISW = 流入器件的 SW 点电流；2) 除非另有说明：电压、电阻和电容以 AGND 为基准；–40°C ≤ TJ ≤ 125°C；VDS(ls) = 520V；VDS(hs) = 520V；10V ≤ VAUX ≤ 26V；7.5V ≤ VBST_SW ≤ 26V；VEN = 5V；VINL = 0V；VINH = 0V；VGDH_SW = 0V；RCS = 100Ω
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
低侧 GaN 功率 FET
RDS(on)(ls) 漏源（SW 至 SL）导通电阻 VINL = 5V，ID(ls) = 3.5A，TJ = 25°C 140 mΩ
VINL = 5V，ID(ls) = 3.5A，TJ = 125°C 255
VSD(ls) 源漏（SL 至 SW）第三象限电压 SL 至 SW 电流 = 0.35A 1.9 V
SL 至 SW 电流 = 3.5A 2.6
IDSS(ls) 漏极（SW 至 SL）漏电流 VDS(hs) = 0V，VDS(ls) = 650V，TJ = 25°C 2.3 µA
VDS(hs) = 0V，VDS(ls) = 650V，TJ = 125°C 11.5
QOSS(ls) 输出（SW 至 SL）电荷 VDS(hs) = 0V，VDS(ls) = 400V 21.8 nC
COSS(ls) 输出（SW 至 SL）电容 34.2 pF
EOSS(ls) 输出（SW 至 SL）电容储存能量 3.0 µJ
COSS,er(ls) 与能量相关的有效输出（SW 至 SL）电容 36.7 pF
COSS,tr(ls) 与时间相关的有效输出（SW 至 SL）电容 VDS(hs) = 0V，VDS(ls) = 0V 至 400V 54.5 pF
QRR(ls) 反向恢复电荷 0 nC
高侧 GaN 功率 FET
RDS(on)(hs) 漏源（DH 至 SW）导通电阻 VINH = 5V，ID(hs) = 3.5A，TJ = 25°C 140 mΩ
VINH = 5V，ID(hs) = 3.5A，TJ = 125°C 255
VSD(hs) 源漏（SW 至 DH）第三象限电压 SW 至 DH 电流 = 0.35A 1.9 V
SW 至 DH 电流 = 3.5A 2.6
IDSS(hs) 漏极（DH 至 SW）漏电流 VDS(ls) = 0V，VDS(hs) = 650V，TJ = 25°C 2.3 µA
VDS(ls) = 0V，VDS(hs) = 650V，TJ = 125°C 11.5
QOSS(hs) 输出（DH 至 SW）电荷 VDS(ls) = 0V，VDS(hs) = 400V 21.8 nC
COSS(hs) 输出（DH 至 SW）电容 34.2 pF
EOSS(hs) 输出（DH 至 SW）电容储存能量 3.0 µJ
COSS,er(hs) 与能量相关的有效输出（DH 至 SW）电容 36.7 pF
COSS,tr(hs) 与时间相关的有效输出（DH 至 SW）电容 VDS(ls) = 0V，VDS(hs) = 0V 至 400V 54.5 pF
QRR(hs) 反向恢复电荷 0 nC
低侧过流保护
IT(OC)(ls) 过流故障 - 阈值电流 5.6 6.5 7.4 A
高侧过流保护
IT(OC)(hs) 过流故障 - 阈值电流 5.6 6.5 7.4 A
自举整流器
RDS(on) AUX 至 BST 导通电阻 VINL = 5V，VAUX_BST = 1V，TJ = 25°C 7 Ω
VINL = 5V，VAUX_BST = 1V，TJ = 125°C 12
AUX 至 BST 电流限制 VINL = 5V，VAUX_BST = 7V 210 240 270 mA
BST 至 AUX 反向电流阻断阈值 VINL = 5V 15 mA
CS
电流检测增益 (ICS(src) / ID(LS)) VINL = 5V，0V ≤ VCS ≤ 2V，0A ≤ ID(ls)< IT(OC)(ls) 0.901 mA/A
电流检测输入失调电流 VINL = 5V，0V ≤ VCS ≤ 2V，0A ≤ ID(ls)< IT(OC)(ls) -56 56 mA
发生过流故障后，在 INL 保持高电平时初始保持输出 VINL = 5V，0V ≤ VCS ≤ 2V 7 mA
ICS(src)(OC)(final) 发生过流故障后，在 INL 保持高电平时的最终保持输出 VINL = 5V，0V ≤ VCS ≤ 2V 10 12 15.5 mA
输出钳位电压 VINL = 5V，ID(ls) = 5.8A，CS 从外部源获得 5mA 灌电流 2.6 V
EN、INL、INH 至 AGND；GDH 至 SW
VIT+ 正向输入阈值电压 1.7 2.45 V
VIT– 负向输入阈值电压 0.7 1.3 V
输入阈值电压迟滞 1 V
下拉输入电阻 0V ≤ VPIN ≤ 3V 200 400 600 kΩ
下拉输入电流 10V ≤ VPIN ≤ 26V；VAUX = 26V 10 µA
过热保护
温度故障 – 正向阈值温度 165 °C
温度故障 – 负向阈值温度 150 °C
温度故障 – 阈值温度迟滞 15 °C
AUX
VAUX,T+(UVLO) UVLO – 正向阈值电压 8.9 9.3 9.7 V
UVLO – 负向阈值电压 8.6 9.0 9.5 V
UVLO – 阈值电压迟滞 250 mV
待机静态电流 VEN = 0V 50 110 µA
静态电流 250 400 µA
VINL = 5V，ID(ls) = 0A 1000
工作电流 VINL = 0V 或 5V，VDS(ls) = 0V，ID(ls) = 0A，fINL = 500kHz 3.3 mA
BST
VBST_SW,T+(UVLO) 使 FET 导通的 VBST_SW UVLO - 正向阈值电压 6.7 7 7.3 V
使 FET 保持开启的 VBST_SW UVLO – 负向阈值电压 4.8 5.1 5.4 V
静态电流 70 120 µA
VINH = 5V，ID(hs) = 0A 660
VGDH_SW = 5V，ID(hs) = 0A 660
工作电流 VINH = 0V 或 5V，VDS(hs) = 0V，IDS(hs) = 0A；fINH = 500kHz 2.2 mA
VGDH_SW = 0V 或 5V，VDS(hs) = 0V，IDS(hs) = 0A；fGDH_SW = 500kHz 2.2