ZHCSXN9 December   2024 LM74680

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 开关特性
    7. 5.7 典型特性
  7. 6 参数测量信息
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 输入和输出电压
      2. 7.3.2 电荷泵
      3. 7.3.3 栅极驱动器
      4. 7.3.4 启用
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 导通模式
        1. 7.4.1.1 稳压导通模式
        2. 7.4.1.2 完全导通模式
      2. 7.4.2 反向电流保护模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 设计注意事项
        2. 8.2.2.2 MOSFET 选择
        3. 8.2.2.3 输出电容
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
      1. 8.3.1 瞬态保护
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 接收文档更新通知
    2. 9.2 支持资源
    3. 9.3 商标
    4. 9.4 静电放电警告
    5. 9.5 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

4 引脚配置和功能

图 4-1 DRR 封装，12 引脚 WSON（顶视图）
表 4-1 引脚功能
引脚 I/O(1) 说明
编号 名称
1 IN1 I 桥接整流器输入 1。连接到顶部 MOSFET Q1 源极和底部 MOSFET Q4 漏极。
2 TG1 O

顶部 MOSFET 栅极驱动 1。
3 N.C — 无连接。
4 BG1 O 底部 MOSFET 栅极驱动 1。
5 BG2 O 底部 MOSFET 栅极驱动 2。
6 GND G 器件接地。连接到底部 MOSFET Q3 和 Q4 源极和输出接地。
7 EN I 使能引脚。可连接到 OUTP 以实现常开运行。
8 OUTP I 桥接整流器输出。连接到顶部 MOSFET Q1 和 Q2 漏极。在 OUTP 和 GND 之间靠近 IC 的位置连接至少 0.1µF 的电容。
9 N.C — 无连接。
10 N.C — 无连接。
11 TG2 O 顶部 MOSFET 栅极驱动 2。
12 IN2 I 桥接整流器输入 2。连接到顶部 MOSFET Q2 源极和底部 MOSFET Q3 漏极。
(1) I = 输入，O = 输出，G = 接地