ZHCSXN9 December   2024 LM74680

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 开关特性
    7. 5.7 典型特性
  7. 6 参数测量信息
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 输入和输出电压
      2. 7.3.2 电荷泵
      3. 7.3.3 栅极驱动器
      4. 7.3.4 启用
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 导通模式
        1. 7.4.1.1 稳压导通模式
        2. 7.4.1.2 完全导通模式
      2. 7.4.2 反向电流保护模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 设计注意事项
        2. 8.2.2.2 MOSFET 选择
        3. 8.2.2.3 输出电容
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
      1. 8.3.1 瞬态保护
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 接收文档更新通知
    2. 9.2 支持资源
    3. 9.3 商标
    4. 9.4 静电放电警告
    5. 9.5 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

7.4.1.2 完全导通模式

为了使 LM74680 在完全导通模式下运行顶部栅极 TG1 和 TG2，必须按照节 7.3.3部分所述启用栅极驱动器，并且外部 MOSFET 从源极到漏极的电流必须足够大，从而使 INx 到 OUTP 的压降大于 VTG_FC。如果满足这些条件，GATE 引脚将在内部连接到电荷泵，从而使 INx 到 OUTP 的电压等于 VTGx – VINx。通过将内部电荷泵连接到 GATE，可更大限度地减小外部 MOSFET 的 RDS(ON)，从而在正向电流较大时降低外部 MOSFET 的功率损耗。