ZHCSXK5 September 2024 TPS26750
PRODUCTION DATA
LDO_1V5(引脚 4)、LDO_3V3(引脚 1)和 VIN_3V3(引脚 32)
LDO_3V3、LDO_1V5 和 VIN_3V3 的去耦电容器(分别为 C15、C16 和 C17)需要尽可能靠近 TPS26750 器件放置,以实现卓越性能。为了尽可能减小解决方案尺寸,该示例将去耦电容器放置在底层,其接地焊盘位于 TPS26750 接地焊盘的正下方。如果将 TPS26750 与去耦电容器放置在不同的层上,则每个引脚最多使用一个过孔。至少使用 10mil 的布线宽度来布置这三个布线,如果可能,最好使用 16mil 的布线宽度。
CC1(引脚 24)和 CC2(引脚 25)
CC1 (C11) 和 CC2 (C10) 电容需要尽可能靠近各自的引脚放置,并与 TPS26750 器件位于同一层。进行 CCx 布线时,不要通过孔连接到 TPS26750 的 CCx 引脚与 CCx 电容器之间的另一层。检查以确保 CCx 电容器不会放置在构成天线的 CC 布线之外,而是使布线直接穿过 CCx 电容器焊盘,如示例布局中所示(请参阅图 10-21)。至少使用 10mil 的布线宽度来确保支持 Vconn (5V/0.6A)。