ZHCSXJ2A September   2024  – March 2025 REF80

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 器件比较表
  6. 引脚配置和功能
  7. 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 热性能信息
    4. 6.4 建议运行条件
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 典型特性
  8. 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 加热器
      2. 7.3.2 埋入式齐纳基准
  9. 参数测量信息
    1. 8.1 长期稳定性
    2. 8.2 温漂
    3. 8.3 热迟滞
    4. 8.4 噪声性能
      1. 8.4.1 1/f 噪声
      2. 8.4.2 宽带噪声
  10. 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 典型应用:基本基准电压连接
        1. 9.2.1.1 设计要求
        2. 9.2.1.2 详细设计过程
        3. 9.2.1.3 应用曲线
      2. 9.2.2 典型应用电路
        1. 9.2.2.1 精密分压器连接
        2. 9.2.2.2 校准信号
    3. 9.3 电源相关建议
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
      2. 9.4.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 文档支持
      1. 10.1.1 相关文档
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 支持资源
    4. 10.4 商标
    5. 10.5 静电放电警告
    6. 10.6 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

布局指南

节 9.4.2 展示了使用 REF80 的数据采集系统的 PCB 布局(双层布线)示例。一些重要注意事项有:
  • 噪声性能
    • 在 REF80 的 VDD、HEATM 和 HEATP 上连接低 ESR 0.1μF 陶瓷旁路电容器。
    • 在 REF80 的 REF_Z 上连接 10uF 至 100uF 1 类电容器。
    • 敏感的模拟布线不能与数字布线平行。尽可能避免数字布线与模拟布线交叉,仅在绝对必要时可垂直交叉布线。
  • 热性能
    • 布局必须最大限度地减少散热,从而为 REF80 保持良好的热阻。
    • 使用最少的覆铜来路由 VDD、REF_Z、REF_GND 信号。
    • 根据 HEATP 和 HEATM 引脚的电流要求使用覆铜。
    • 避免在封装下方直接覆铜。
    • 建议在器件周围设置屏蔽层,以实现更好的加热器调节。
  • 塞贝克效应
    • 避免使用多个金属-金属结,以最大程度地降低塞贝克效应。
  • 长期稳定性性能
    • 如布局示例中所示,直接为引脚提供应变消除。
    • 提供靠近引脚的切口,使切口垂直于引脚和转角。
    • 避免单点应变累积。