ZHCSXI8H March   2010  – December 2024 CSD17510Q5A

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1特性
  3. 2应用
  4. 3说明
  5. 4电气特性
  6. 5热特性
  7. 6典型 MOSFET 特性
  8. 7器件和文档支持
    1. 7.1 第三方产品免责声明
    2. 7.2 文档支持
      1. 7.2.1 相关文档
    3. 7.3 接收文档更新通知
    4. 7.4 支持资源
    5. 7.5 商标
    6. 7.6 静电放电警告
    7. 7.7 术语表
  9. 817
  10. 9机械数据

8

Date Letter Revision History Changes Intro HTMLG (September 2012)to RevisionH (December 2024)

  • 更新了整个文档中的表格、图和交叉参考的编号格式Go

Date Letter Revision History Changes Intro HTML* (July 2010)to RevisionA ()

Date Letter Revision History Changes Intro HTMLF (October 2011)to RevisionG (September 2012)

Date Letter Revision History Changes Intro HTMLE (July 2011)to RevisionF (October 2011)

  • 将 TC = 25°C 时的持续漏极电流 ID 值从100A 更改为55A。Go
  • 更改了图 6-10 Go

Date Letter Revision History Changes Intro HTMLA (August 2010)to RevisionB ()

  • 将 RDS(on) 测试条件从 VGS = 8V 更改为：VGS = 10VGo

Date Letter Revision History Changes Intro HTMLB (September 2010)to RevisionC ()

  • 绝对最大额定值，将 EAS 值从 45mJ 更改为 146mJGo

Date Letter Revision History Changes Intro HTMLC (September 2010)to RevisionD ()

    Date Letter Revision History Changes Intro HTMLD (November 2010)to RevisionE ()

    • 将绝对最大额定值表中的 VGS 从+20/-12V 更改为±20VGo
    • 从 +20/-12V 更改为 20VGo