Data Sheet
30V，N 通道 NexFET™ 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
本资源的原文使用英文撰写。 为方便起见，TI 提供了译文；由于翻译过程中可能使用了自动化工具，TI 不保证译文的准确性。 为确认准确性，请务必访问 ti.com 参考最新的英文版本（控制文档）。
1 特性
- 超低 Qg和 Qgd
- 低热阻
- 具有雪崩能力
- 无铅引脚镀层
- 符合 RoHS
- 无卤素
- SON 5mm × 6mm 塑料封装
2 应用
- 网络、电信和计算系统的负载点同步降压
- 针对控制和同步 FET 应用进行了优化
3 说明
NexFET™ 功率 MOSFET 旨在更大限度地降低功率转换应用中的损耗。
顶视图产品概要
| VDS | 漏源极电压 | 30 | V | |
| Qg | 栅极电荷总量 (4.5V) | 6.4 | nC | |
| Qgd | 栅漏栅极电荷 | 1.9 | nC | |
| RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS = 4.5V | 5.4 | mΩ |
| VGS = 10V | 4.1 | mΩ | ||
| VGS(th) | 阈值电压 | 1.5 | V | |
订购信息
| 器件 | 封装 | 介质 | 数量 | 运输 |
|---|---|---|---|---|
| CSD17510Q5A | SON 5mm × 6mm 塑料封装 | 13 英寸卷带 | 2500 | 卷带包装 |
绝对最大额定值
| TA = 25°C 时测得，除非另有说明 | 值 | 单位 | |
| VDS | 漏源极电压 | 30 | V |
| VGS | 栅源电压 | ±20 | V |
| ID | 持续漏极电流，TC = 25°C | 55 | A |
| 持续漏极电流(1) | 20 | A | |
| IDM | 脉冲漏极电流，TA = 25°C(2) | 129 | A |
| PD | 功率耗散(1) | 3 | W |
| TJ，TSTG | 运行结温和储存温度范围 | -55 至 150 | °C |
| EAS | 雪崩能量，单脉冲 ID = 54A，L = 0.1mH，RG = 25Ω |
146 | mJ |
(1) RθJA = 41°C/W，这是在一块厚度为 0.06 英寸 (1.52mm) 的环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2 (6.45cm2)，2 盎司（厚度为 0.071mm）的覆铜焊盘上测得的典型值。
(2) 脉冲持续时间 ≤ 300μs，占空比 ≤2%
RDS(on) 与 VGS 间的关系
栅极电荷4 电气特性
（TA = 25°C 时测得，除非另有说明）
| 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 静态特性 | |||||||
| BVDSS | 漏源极电压 | VGS = 0V，IDS = 250μA | 30 | V | |||
| IDSS | 漏源漏电流 | VGS = 0V，VDS = 24V | 1 | μA | |||
| IGSS | 栅源漏电流 | VDS = 0V，VGS = 20V | 100 | nA | |||
| VGS(th) | 栅源阈值电压 | VDS = VGSIDS = 250μA | 1 | 1.5 | 2.1 | V | |
| RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS = 4.5V，IDS = 20A | 5.4 | 7.3 | mΩ | ||
| VGS = 10V，IDS = 20A | 4.1 | 5.2 | mΩ | ||||
| gfs | 跨导 | VDS = 15V，IDS = 20A | 59 | S | |||
| 动态特性 | |||||||
| Ciss | 输入电容 | VGS = 0V，VDS = 15V， ƒ = 1MHz | 960 | 1250 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 630 | 820 | pF | |||
| Crss | 反向传输电容 | 51 | 66 | pF | |||
| RG | 串联栅极电阻 | 0.85 | 1.7 | Ω | |||
| Qg | 栅极电荷总量 (4.5V) | VDS = 15V，IDS = 20A | 6.4 | 8.3 | nC | ||
| Qgd | 栅漏栅极电荷 | 1.9 | nC | ||||
| Qgs | 栅源栅极电荷 | 2.7 | nC | ||||
| Qg(th) | Vth 下的栅极电荷 | 1.5 | nC | ||||
| Qoss | 输出电荷 | VDS = 13.5V，VGS = 0V | 16 | nC | |||
| td(on) | 导通延时时间 | VDS = 15V，VGS = 4.5V， IDS = 20A，RG = 2Ω | 7 | ns | |||
| tr | 上升时间 | 11 | ns | ||||
| td(off) | 关断延迟时间 | 9 | ns | ||||
| tf | 下降时间 | 4.1 | ns | ||||
| 二极管特性 | |||||||
| VSD | 二极管正向电压 | ISD = 20A，VGS = 0V | 0.85 | 1 | V | ||
| Qrr | 反向恢复电荷 | VDD= 13.5V，IF = 20A，di/dt = 300A/μs | 25 | nC | |||
| trr | 反向恢复时间 | 24 | ns | ||||
5 热特性
(1) RθJC 是在器件安装在 1.5 英寸 × 1.5 英寸 (3.81cm × 3.81cm)、厚度为 0.06 英寸 (1.52mm) 的 FR4 PCB 上的 1 英寸2 (6.45cm2)、2 盎司（厚度为 0.071mm）的覆铜焊盘上测得的典型值。RθJC 由设计指定，而 RθJA 由用户的电路板设计确定。
(2) 器件安装在具有 1 英寸2 (6.45cm2)、2 盎司（厚度为 0.071mm）的覆铜焊盘的 FR4 材料上。
 |
RθJA 最大值 = 51°C/W，安装在 1 英寸2 (6.45cm2)、2 盎司（厚度为 0.071mm）的覆铜焊盘上时。 |
 |
RθJA 最大值 = 125°C/W，安装在最小面积的 2 盎司（厚度为 0.071mm）覆铜焊盘上时。 |
6 典型 MOSFET 特性
（TA = 25°C 时测得，除非另有说明）
7 器件和文档支持
TI 提供大量的开发工具。下面列出了用于评估器件性能、生成代码和开发解决方案的工具和软件。
7.1 第三方产品免责声明
TI 发布的与第三方产品或服务有关的信息，不能构成与此类产品或服务或保修的适用性有关的认可，不能构成此类产品或服务单独或与任何 TI 产品或服务一起的表示或认可。
7.2 文档支持
7.2.1 相关文档
7.3 接收文档更新通知
要接收文档更新通知，请导航至 ti.com 上的器件产品文件夹。点击通知 进行注册，即可每周接收产品信息更改摘要。有关更改的详细信息，请查看任何已修订文档中包含的修订历史记录。
7.4 支持资源
TI E2E™ 中文支持论坛是工程师的重要参考资料，可直接从专家处获得快速、经过验证的解答和设计帮助。搜索现有解答或提出自己的问题，获得所需的快速设计帮助。
链接的内容由各个贡献者“按原样”提供。这些内容并不构成 TI 技术规范，并且不一定反映 TI 的观点；请参阅 TI 的使用条款。
7.5 商标
NexFET™ and TI E2E™are TMs ofTI corporate name.
Other TMs
7.6 静电放电警告
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静电放电 (ESD) 会损坏这个集成电路。德州仪器 (TI) 建议通过适当的预防措施处理所有集成电路。如果不遵守正确的处理和安装程序，可能会损坏集成电路。 |
| ESD 的损坏小至导致微小的性能降级，大至整个器件故障。精密的集成电路可能更容易受到损坏，这是因为非常细微的参数更改都可能会导致器件与其发布的规格不相符。 |
7.7 术语表
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TI 术语表
本术语表列出并解释了术语、首字母缩略词和定义。
