ZHCSXC7A June 2023 – November 2024 UCC28731-Q1
PRODUCTION DATA
选择的变压器匝数比会影响 MOSFET VDS 和次级整流器反向电压 VREV,因此应仔细检查。
次级整流器反向电压应力可由以下公式确定。由于次级漏电感会增加 VREV,因此可能需要在整流器周围连接一个缓冲器来抑制任何电压尖峰。

对于 MOSFET VDS 电压应力,应包含估算的漏电感电压尖峰 VLK。

在高压线路最小负载条件下,UCC28731-Q1 需要最短的 MOSFET 导通时间 (tON(min)) 和最短的次级整流器退磁时间 (tDMAG(min))。fMAX、LP 和 RCS 的选择会影响实际实现的 tON 和 tDMAG。以下公式用于确定最小 tON 是否大于 tCSLEB 以及是否实现了 >1.2µs 的最小 tDMAG 目标。

