ZHCSX30B September   2024  – December 2025 RES60A-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 引脚配置和功能
  6. 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 绝对容差和比率式容差
      2. 6.3.2 超低噪声
    4. 6.4 器件功能模式
  8. 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
      1. 7.1.1 电池组测量
      2. 7.1.2 使用 RES60A-Q1 进行 RES11A-Q1 的增益调节
      3. 7.1.3 HIPOT 和 OVST
        1. 7.1.3.1 HIPOT 的机制
        2. 7.1.3.2 HIPOT 的扩展验证
      4. 7.1.4 热插拔响应
      5. 7.1.5 高频响应
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 器件和文档支持
    1. 8.1 器件支持
      1. 8.1.1 开发支持
        1. 8.1.1.1 PSpice® for TI
        2. 8.1.1.2 TINA-TI™ 仿真软件(免费下载)
        3. 8.1.1.3 TI 参考设计
        4. 8.1.1.4 模拟滤波器设计器
        5. 8.1.1.5 RES60A-Q1 比率和电压误差计算器
    2. 8.2 文档支持
      1. 8.2.1 相关文档
    3. 8.3 接收文档更新通知
    4. 8.4 支持资源
    5. 8.5 商标
    6. 8.6 静电放电警告
    7. 8.7 术语表
  10. 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

电气特性

VD = 1000V,TA = 25℃ 时(除非另有说明)
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
初始电阻
RHV 输入电阻 12.5
RLV 比率相关的电阻(1) RES60A145  86.2
RES60A210 59.5
RES60A315 39.7
RES60A410 30.5
RES60A500 25.0
RES60A610 20.5
RES60A100 12.5
Gnom 标称比率 RHV/RLV RES60A145 145
RES60A210 210
RES60A315 315
RES60A410 410
RES60A500 500
RES60A610 610
RES60A100 1000
tD 初始比率容差(2) VD = 250V 至 VD = 1000V,(RHV/RLV)/Gnom – 1(3) RES60A145 -0.1 ±0.025 0.1 %
RES60A210 -0.1 ±0.029 0.1
RES60A315 -0.1 ±0.026 0.1
RES60A410 -0.1 ±0.016 0.1
RES60A500 -0.1 ±0.017 0.1
RES60A610 -0.1 ±0.018 0.1
RES60A100 -0.1 ±0.013 0.1
tabs 绝对容差(每电阻)(5) (Rx/Rxnom) – 1(3) -15 -3 15 %
绝对容差范围 最大(tabsRHV、tabsRLV)– 最小(tabsRHV、tabsRLV 0.02 %
电阻漂移
整个工作寿命内的比率容差漂移(4) 连续 10 年,TA = –40°C 至 +85°C,
VD = 1000V,(GINITIAL – GFINAL)/GINITIAL(3)
-0.2 ±0.02 0.2 %
TCRabs 电阻的绝对温度系数(每个电阻器)(5)(6) (ΔRx/Rx(25°C))/ΔTA,TA = –40°C 至 +125°C 23 ppm/°C
TCRratio 电阻的分压器温度系数(每分压器)(2)(6) ΔtD/ΔTA,TA = –40°C 至 +85°C -3 -0.8 3 ppm/°C
ΔtD/ΔTA,TA = –40°C 至 +125°C -3 -0.5 3
VCRabs 电阻的绝对电压系数(每电阻)(5)(6) ΔRx/ΔVRx,VD = 100V 至 VD = 1000V RHV ±3.7 Ω/V
RLV ±2.9
VCRratio 电阻的分压器电压系数(每分压器)(2)(6) ΔtD/ΔVD,VD = 100V 至 VD = 1000V ±0.3 ppm/V
阻抗
CIN 引脚电容(6)(7) HVIN,VLVIN = VMID = 0V 1.69 pF
MID,VLVIN = VHIN = 0V 1.12
LVIN,VMID = VHIN = 0V 2.66
–3dB 带宽(6)(8) 按 f = 100Hz,无 CFILTER 时的衰减进行归一化处理 RES60A145 68.5 kHz
RES60A210 72.9
RES60A315 77.3
RES60A410 71.7
RES60A500 74.9
RES60A610 73.8
RES60A100 73.7
ts 稳定时间(6) 至 1%,10V 阶跃  RES60A145 8.3 µs
RES60A210 7.1
RES60A315 6.1
RES60A410 6.0
RES60A500 5.9
RES60A610 5.9
RES60A100 5.6
至 0.1%,10V 阶跃 RES60A145 34.8 µs
RES60A210 30.4
RES60A315 22.1
RES60A410 8.7
RES60A500 10.4
RES60A610 9.7
RES60A100 8.7
eN 热噪声密度(7) f = 1kHz RES60A145 36 nV/√Hz
RES60A210 30
RES60A315 25
RES60A410 22
RES60A500 20
RES60A610 18
RES60A100 14
输入电阻 (RHV) 和标称比率 (Gnom) 是决定 RLV 值的控制规范。为了便于表示,RLV 的标称值采用三位有效数字。
RHV/RLV 与标称比率。
规格是该表达式的结果,以百分比(乘以 100%)的形式给出
根据设计和加速认证测试确定。
RHV 和 RLV 与标称值。
根据特征确定。
根据设计指定。
对于特定器件和应用,–3dB 带宽会受到器件本身及电路板寄生电容的显著影响。前馈电容会导致高频衰减低于标称值,从而产生增益峰值。建议在 RLV 两端并联一个滤波电容以进行增益整形,并确认各频率下的衰减满足电路及设计目标。该电容器的数值最好通过实验确定和验证。有关更多信息,请参阅典型特性布局指南