ZHCSX30B September   2024  – December 2025 RES60A-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 绝对容差和比率式容差
      2. 6.3.2 超低噪声
    4. 6.4 器件功能模式
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
      1. 7.1.1 电池组测量
      2. 7.1.2 使用 RES60A-Q1 进行 RES11A-Q1 的增益调节
      3. 7.1.3 HIPOT 和 OVST
        1. 7.1.3.1 HIPOT 的机制
        2. 7.1.3.2 HIPOT 的扩展验证
      4. 7.1.4 热插拔响应
      5. 7.1.5 高频响应
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 器件支持
      1. 8.1.1 开发支持
        1. 8.1.1.1 PSpice® for TI
        2. 8.1.1.2 TINA-TI™ 仿真软件（免费下载）
        3. 8.1.1.3 TI 参考设计
        4. 8.1.1.4 模拟滤波器设计器
        5. 8.1.1.5 RES60A-Q1 比率和电压误差计算器
    2. 8.2 文档支持
      1. 8.2.1 相关文档
    3. 8.3 接收文档更新通知
    4. 8.4 支持资源
    5. 8.5 商标
    6. 8.6 静电放电警告
    7. 8.7 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

5.4 热性能信息

热指标(1) RES60A-Q1 单位
DWV (SOIC)
8 引脚
RθJA 结至环境热阻 110.4 °C/W
RθJC(top) 结至外壳（顶部）热阻 55.3 °C/W
RθJB 结至电路板热阻 53.0 °C/W
ψJT 结至顶部特征参数 41.2 °C/W
ψJB 结至电路板特征参数 51.6 °C/W
RθJC(bot) 结至外壳（底部）热阻 不适用 °C/W
(1) 有关新旧热指标的更多信息，请参阅半导体和 IC 封装热指标 应用手册。