ZHCSWV6C August   2024  – March 2025 TMAG5233

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 磁特性
    7. 6.7 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 SOT-23 磁通密度方向
      2. 7.3.2 输出类型
      3. 7.3.3 时序
      4. 7.3.4 霍尔元件位置
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 器件命名规则
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 静电放电警告
    5. 9.5 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

7.3.1 SOT-23 磁通密度方向

TMAG5233 SOT-23 可检测水平于封装标识表面的磁通密度。

TMAG5233 正磁通密度图 7-2 正磁通密度
TMAG5233 负磁通密度图 7-3 负磁通密度

从封装引脚 2 一侧到封装引脚 1 一侧的磁通密度被认为是正磁通密度，而从封装引脚 1 一侧到封装引脚 2 一侧的磁通密度被认为是负磁通密度。

磁体会在周围空间中产生一个三维磁场，磁场强度和方向在不同的点发生变化。这种变化允许以多种方式产生正（或负）磁通密度，如图 7-4 和图 7-5 所示。

TMAG5233 正磁通密度：磁体偏移图 7-4 正磁通密度：磁体偏移
TMAG5233 正磁通密度：磁体对齐图 7-5 正磁通密度：磁体对齐